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Mn掺杂SiC磁性薄膜的结构表征

唐军 任鹏 姚涛 闫文盛 徐彭寿 韦世强 刘忠良

Mn掺杂SiC磁性薄膜的结构表征

唐军, 任鹏, 姚涛, 闫文盛, 徐彭寿, 韦世强, 刘忠良
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  • 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构谱(XANES)等技术研究了在950 ℃条件下Si(111)衬底上共蒸发分子束外延方法制备的Mn掺杂SiC磁性薄膜的结构特征.RHEED结果表明,生长的Mn掺杂SiC薄膜为立方结构.XRD和XANES结果表明,在Mn掺杂量为0.5%和18%的样品中,Mn原子均是与SiC半导体介质中的Si原子反应生成镶嵌在SiC基体中的Mn4Si7化合物颗粒,并未观察到在SiC晶格中有替代式或间隙式的M
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50572100,10635060,10725522)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-22
  • 修回日期:  2009-12-01
  • 刊出日期:  2010-07-15

Mn掺杂SiC磁性薄膜的结构表征

  • 1. (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029; (2)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029; 淮北煤炭师范学院物理与电子信息学院,淮北 235000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50572100,10635060,10725522)资助的课题.

摘要: 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和X射线吸收近边结构谱(XANES)等技术研究了在950 ℃条件下Si(111)衬底上共蒸发分子束外延方法制备的Mn掺杂SiC磁性薄膜的结构特征.RHEED结果表明,生长的Mn掺杂SiC薄膜为立方结构.XRD和XANES结果表明,在Mn掺杂量为0.5%和18%的样品中,Mn原子均是与SiC半导体介质中的Si原子反应生成镶嵌在SiC基体中的Mn4Si7化合物颗粒,并未观察到在SiC晶格中有替代式或间隙式的M

English Abstract

参考文献 (31)

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