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离子注入ZnO薄膜的拉曼光谱研究

臧航 王志光 庞立龙 魏孔芳 姚存峰 申铁龙 孙建荣 马艺准 缑洁 盛彦斌 朱亚滨

离子注入ZnO薄膜的拉曼光谱研究

臧航, 王志光, 庞立龙, 魏孔芳, 姚存峰, 申铁龙, 孙建荣, 马艺准, 缑洁, 盛彦斌, 朱亚滨
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  • 室温下,用80 keV N+和400 keV Xe+离子注入ZnO薄膜,注入剂量分别为5.0×1014—1.0×1017/cm2和2.0×1014—5.0×1015/cm2.利用拉曼散射技术对注入前后的ZnO薄膜进行光谱测量和分析,研究了样品的拉曼光谱随离子注入剂量的变化规律.实验结果发现,未进行离子注入的样品在99,435 cm<
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB832902)和国家自然科学基金(批准号:10835010)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-10-31
  • 修回日期:  2009-11-19
  • 刊出日期:  2010-07-15

离子注入ZnO薄膜的拉曼光谱研究

  • 1. (1)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000; (2)中国科学院近代物理研究所,兰州 730000; 中国科学院研究生院,北京 100049
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB832902)和国家自然科学基金(批准号:10835010)资助的课题.

摘要: 室温下,用80 keV N+和400 keV Xe+离子注入ZnO薄膜,注入剂量分别为5.0×1014—1.0×1017/cm2和2.0×1014—5.0×1015/cm2.利用拉曼散射技术对注入前后的ZnO薄膜进行光谱测量和分析,研究了样品的拉曼光谱随离子注入剂量的变化规律.实验结果发现,未进行离子注入的样品在99,435 cm<

English Abstract

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