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硅基超晶格Si1-xSnx/Si的能带结构

吕铁羽 陈捷 黄美纯

硅基超晶格Si1-xSnx/Si的能带结构

吕铁羽, 陈捷, 黄美纯
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-10-23
  • 刊出日期:  2010-07-15

硅基超晶格Si1-xSnx/Si的能带结构

  • 1. 厦门大学物理系,厦门 361005

摘要: 由于Si基发光材料能与现有的Si微电子工艺兼容,其应用前景被广泛看好. 设计具有直接带隙的Si基材料,备受实验和理论研究者的关注. 本文根据芯态效应、电负性差效应和对称性效应设计了Si基超晶格Si1-xSnx/Si. 其中Si0.875Sn0.125/Si为直接带隙材料. 在密度泛函框架内,采用平面波赝势法计算表明,Si0.875Sn0.125

English Abstract

参考文献 (20)

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