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In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能

朱丽虹 蔡加法 李晓莹 邓彪 刘宝林

In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能

朱丽虹, 蔡加法, 李晓莹, 邓彪, 刘宝林
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-10-29
  • 修回日期:  2009-11-19
  • 刊出日期:  2010-07-15

In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能

  • 1. 厦门大学物理系,厦门 361005
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60276029)和国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA311020,2006AA03Z409)资助的课题.

摘要: 利用金属有机物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上通过有源层的变温生长,得到In组分渐变的量子阱结构,从而获得具有三角形能带结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)(简称三角形量子阱结构LED).变温光致发光谱结果表明,相对于传统具有方形能带结构的量子阱LED(简称方形量子阱结构LED),三角形量子阱结构有效提高了量子阱中电子和空穴波函数的空间交叠,从而增加了LED的内量子效率;电致发光谱结果表明,三角形量子阱结构LED器件与传统结构LED器件相比,明显改善了发光峰值波长随着电流的蓝移现象.通过以上

English Abstract

参考文献 (16)

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