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In2O3 透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究

吴惠桢 张莹莹 王雄 朱夏明 原子健 徐天宁

In2O3 透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究

吴惠桢, 张莹莹, 王雄, 朱夏明, 原子健, 徐天宁
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  • 采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜.该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33 nm.利用光刻工艺制作了以In2O3晶体薄膜为沟道层的底栅式薄膜晶体管.In2O3薄膜晶体管具有良好的栅压调制特性,场效应迁移率达到6.3 cm2/(V·s),开关电流比为3×103,阈值电压为-0.9 V.结果表明,In
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60676003)和浙江省自然科学基金(批准号:Z406092)资助的课题.
    [1]

    Son K S, Kim T S, Jung J S, Ryu M K, Park K B, Yoo B W, Park K C, Kwon J Y, Lee S Y, Kim J M 2009 Electrochemical and Solid-State Lett. 12 H26

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    Nomura K, Ohta H, Takagi A, Kamiya T, Hirano M, Hosono H 2004 Nature 432 488

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    Zhu X M, Wu H Z, Wang S J, Zhang Y Y, Cai C F, Si J X, Yuan Z J, Du X Y, Dong S R 2009 J. Semicond. 30 033001

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    Zhang X A, Zhang J W, Zhang W F, Wang D, Bi Z, Bian X M, Hou X 2008 Thin Solid Films 516 3305

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    Presley R E, Munsee C L, Park C H, Hong D, Wager J F, Keszler D A 2004 J. Phys. D 37 2810

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    Chiang H Q, Wager J F, Hoffman R L, Jeong J, Keszler D A 2005 Appl. Phys. Lett. 86 013503

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    Zhang J Y, Deng T S, Shen X, Zhu K T, Zhang Q F, Wu J L 2009 Acta Phys. Sin. 58 4156(in Chinese)[张俊艳、邓天松、沈 昕、朱孔涛、张琦锋、吴锦雷 2009 物理学报 58 4156]

    [9]

    Suresh A, Wellenius P, Dhawan A, Muth J 2007 Appl. Phys. Lett. 90 123512

    [10]

    Wang L, Yoon M H, Lu G, Yang Y, Facchetti A, Marks T J 2006 Nature Mater. 5 893

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    Wang K, Vygranenko Y, Chaji R, Nathan A 2009 J. Vac. Sci. Technol. B 27 612

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    Lavareda G, Carvalho C N, Fortunato E, Ramos A R, Alves E, Conde O, Amaral A 2006 J. Non-Cryst. Solids 352 2311

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    Vygranenko Y, Wang K, Nathan A 2007 Appl. Phys. Lett. 91 263508

    [14]

    Kim C S, Jo S J, Lee S W, Kim J W, Baik H K, Lee S J, Hwang D K, Im S 2006 Appl. Phys. Lett. 88 243515

  • [1]

    Son K S, Kim T S, Jung J S, Ryu M K, Park K B, Yoo B W, Park K C, Kwon J Y, Lee S Y, Kim J M 2009 Electrochemical and Solid-State Lett. 12 H26

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    Nomura K, Ohta H, Takagi A, Kamiya T, Hirano M, Hosono H 2004 Nature 432 488

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    Zhu X M, Wu H Z, Wang S J, Zhang Y Y, Cai C F, Si J X, Yuan Z J, Du X Y, Dong S R 2009 J. Semicond. 30 033001

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    Zhang X A, Zhang J W, Zhang W F, Wang D, Bi Z, Bian X M, Hou X 2008 Thin Solid Films 516 3305

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    Chiang H Q, Wager J F, Hoffman R L, Jeong J, Keszler D A 2005 Appl. Phys. Lett. 86 013503

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    Zhang J Y, Deng T S, Shen X, Zhu K T, Zhang Q F, Wu J L 2009 Acta Phys. Sin. 58 4156(in Chinese)[张俊艳、邓天松、沈 昕、朱孔涛、张琦锋、吴锦雷 2009 物理学报 58 4156]

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    Kim C S, Jo S J, Lee S W, Kim J W, Baik H K, Lee S J, Hwang D K, Im S 2006 Appl. Phys. Lett. 88 243515

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-24
  • 修回日期:  2009-11-12
  • 刊出日期:  2010-07-15

In2O3 透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究

  • 1. (1)浙江大学物理系,现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027; (2)浙江大学物理系,现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027; 浙江工业大学之江学院理学系,杭州 310024
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60676003)和浙江省自然科学基金(批准号:Z406092)资助的课题.

摘要: 采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜.该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33 nm.利用光刻工艺制作了以In2O3晶体薄膜为沟道层的底栅式薄膜晶体管.In2O3薄膜晶体管具有良好的栅压调制特性,场效应迁移率达到6.3 cm2/(V·s),开关电流比为3×103,阈值电压为-0.9 V.结果表明,In

English Abstract

参考文献 (14)

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