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In2O3 透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究

徐天宁 吴惠桢 张莹莹 王雄 朱夏明 原子健

In2O3 透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究

徐天宁, 吴惠桢, 张莹莹, 王雄, 朱夏明, 原子健
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-24
  • 修回日期:  2009-11-12
  • 刊出日期:  2010-07-15

In2O3 透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究

  • 1. (1)浙江大学物理系,现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027; (2)浙江大学物理系,现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027; 浙江工业大学之江学院理学系,杭州 310024
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60676003)和浙江省自然科学基金(批准号:Z406092)资助的课题.

摘要: 采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜.该薄膜具有(111)晶面择优取向,晶粒尺寸达到33 nm.利用光刻工艺制作了以In2O3晶体薄膜为沟道层的底栅式薄膜晶体管.In2O3薄膜晶体管具有良好的栅压调制特性,场效应迁移率达到6.3 cm2/(V·s),开关电流比为3×103,阈值电压为-0.9 V.结果表明,In

English Abstract

参考文献 (14)

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