搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

3C-SiC材料p型掺杂的第一性原理研究

张云 邵晓红 王治强

3C-SiC材料p型掺杂的第一性原理研究

张云, 邵晓红, 王治强
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4338
  • PDF下载量:  1020
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-07-20
  • 修回日期:  2009-12-17
  • 刊出日期:  2010-04-05

3C-SiC材料p型掺杂的第一性原理研究

  • 1. (1)北京化工大学理学院,北京 100029; (2)中国科学院光电研究院,北京 100190
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:No.20736002)资助的课题.

摘要: 采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了SiC材料p型掺杂的晶体结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度,计算得到掺杂B,Al,Ga在不同浓度下的禁带宽度.结果表明:随着掺杂B原子浓度的增大,禁带宽度随之减小;而随着掺杂Al,Ga原子浓度的增大,禁带宽度随之增大;在相同浓度下,掺杂Ga的禁带宽度大于掺杂Al,掺Al禁带宽度大于掺B.

English Abstract

参考文献 (19)

目录

    /

    返回文章
    返回