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反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究

杨再荣 罗子江 贺业全 何浩 邓朝勇 丁召 周勋 韦俊

反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究

杨再荣, 罗子江, 贺业全, 何浩, 邓朝勇, 丁召, 周勋, 韦俊
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-08
  • 修回日期:  2010-04-29
  • 刊出日期:  2011-01-15

反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究

  • 1. (1)贵州大学理学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025; (2)贵州大学理学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025;贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳 550001; (3)贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳 550001
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60866001),贵州省委组织部高层人才科研特助项目(批准号: Z073011,TZJF-2008-31),贵州省科技厅基金(批准号: Z073085),贵州大学博士基金(批准号: X060031),贵州省优秀科技教育人才省长专项基金(批准号: 黔省专合字(2009)114号),教育部新世纪优秀人才支持计划 (批准号: NCET-08-0651),贵州省优秀青年科技人才培养计划(批准号:[2009]-15)资助的课题.

摘要: 以反射式高能电子衍射(RHEED)作为实时监测工具,根据GaAs(100)表面重构相与衬底温度、As4等效束流压强之间的关系,对分子束外延(MBE)系统中衬底测温系统进行了校准,这种方法也适用于其他的MBE系统.为生长高质量的外延薄膜材料、研究InGaAs表面粗糙化及相变等过程提供了实验依据.

English Abstract

参考文献 (19)

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