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反射式NEA GaN光电阴极量子效率恢复研究

乔建良 常本康 钱芸生 杜晓晴 王晓晖 郭向阳

反射式NEA GaN光电阴极量子效率恢复研究

乔建良, 常本康, 钱芸生, 杜晓晴, 王晓晖, 郭向阳
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  • 以反射式NEA GaN光电阴极充分激活、衰减以及补Cs后的量子效率曲线为依据,针对阴极量子效率的衰减规律和补Cs后的恢复状况,论述了NEA GaN光电阴极量子效率的衰减和恢复机理.经过重新Cs化处理,反射式NEA GaN光电阴极量子效率在240 nm到300 nm的短波区域恢复到激活后最好状态的94%以上,300 nm到375 nm的长波区域恢复到88%以上.结合反射式NEA GaN光电阴极衰减前后的表面势垒形状和反射式GaN光电阴极量子效率的计算公式,得到了量子效率曲线的衰减规律以及补Cs后的恢复状况与
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号: 60871012,60701013)和河南省教育厅自然科学研究计划项目(批准号: 2010C510009)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-24
  • 修回日期:  2010-05-11
  • 刊出日期:  2011-01-15

反射式NEA GaN光电阴极量子效率恢复研究

  • 1. (1)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094;南阳理工学院电子与电气工程系,南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院,重庆 400030
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号: 60871012,60701013)和河南省教育厅自然科学研究计划项目(批准号: 2010C510009)资助的课题.

摘要: 以反射式NEA GaN光电阴极充分激活、衰减以及补Cs后的量子效率曲线为依据,针对阴极量子效率的衰减规律和补Cs后的恢复状况,论述了NEA GaN光电阴极量子效率的衰减和恢复机理.经过重新Cs化处理,反射式NEA GaN光电阴极量子效率在240 nm到300 nm的短波区域恢复到激活后最好状态的94%以上,300 nm到375 nm的长波区域恢复到88%以上.结合反射式NEA GaN光电阴极衰减前后的表面势垒形状和反射式GaN光电阴极量子效率的计算公式,得到了量子效率曲线的衰减规律以及补Cs后的恢复状况与

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参考文献 (17)

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