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TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的理论研究

黄平 杨春

TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的理论研究

黄平, 杨春
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-11-30
  • 修回日期:  2011-01-12
  • 刊出日期:  2011-05-05

TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的理论研究

  • 1. 四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室,成都 610068;
  • 2. 四川师范大学物理与电子工程学院,成都 610068
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50942025,51172150)和电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题(批准号:KFJJ200811)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了TiO2分子在GaN(0001)表面的吸附成键过程、吸附能量和吸附位置. 计算结果表明不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,GaO化学键表现出共价键特征,化学结合能达到7.9327.943eV,OO连线与GaN[1120]方向平行,与实验观测(100)[001] TiO2//(0001)[1120]GaN一致. 通过动力学过程计算分析,TiO2分子吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,稳定吸附结构和优化结果一致.

English Abstract

参考文献 (37)

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