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负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展

乔建良 常本康 钱芸生 高频 王晓晖 徐源

负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展

乔建良, 常本康, 钱芸生, 高频, 王晓晖, 徐源
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  • 结合国内和国外的最新研究成果,论述了目前在NEA GaN真空面电子源研究方面的现状. 从光电发射理论、表面净化方法、阴极激活工艺、光谱响应测试以及材料本身特性等方面针对GaN真空电子源的研究取得了一定成绩:初步研究了NEA GaN电子源的光电发射机理;给出了可获得原子级清洁表面的净化方法;采用Cs或Cs/O对GaN材料进行了有效激活;测试了GaN真空电子源材料的光谱响应;探讨了影响电子源量子效率的材料特性. 指出了下一步研究需要关注的内容.
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号:60871012)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-12-07
  • 修回日期:  2011-01-16
  • 刊出日期:  2011-05-05

负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展

  • 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094;
  • 2. 南阳理工学院电子与电气工程系,南阳 473004
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:60871012)资助的课题.

摘要: 结合国内和国外的最新研究成果,论述了目前在NEA GaN真空面电子源研究方面的现状. 从光电发射理论、表面净化方法、阴极激活工艺、光谱响应测试以及材料本身特性等方面针对GaN真空电子源的研究取得了一定成绩:初步研究了NEA GaN电子源的光电发射机理;给出了可获得原子级清洁表面的净化方法;采用Cs或Cs/O对GaN材料进行了有效激活;测试了GaN真空电子源材料的光谱响应;探讨了影响电子源量子效率的材料特性. 指出了下一步研究需要关注的内容.

English Abstract

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