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忆阻混沌电路的分析与实现

包伯成 胡文 许建平 刘中 邹凌

忆阻混沌电路的分析与实现

包伯成, 胡文, 许建平, 刘中, 邹凌
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-05
  • 修回日期:  2011-04-18
  • 刊出日期:  2011-06-05

忆阻混沌电路的分析与实现

  • 1. 常州大学信息科学与工程学院,常州 213164;
  • 2. 南京航空航天大学电子信息工程学院,南京 210016;
  • 3. 西南交通大学电气工程学院,成都 610031;
  • 4. 南京理工大学电子工程系,南京 210094
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60971090)、江苏省自然科学基金(批准号:BK2009105)和航空科学基金(批准号:2009ZC52038)资助的课题.

摘要: 具有记忆功能的忆阻器是除电阻器、电容器和电感器之外的第四种基本二端电路元件. 提出了由-q平面上的一条三次单调上升的非线性曲线来确定的光滑磁控忆阻器,它有着斜8字形的类紧磁滞回线的伏安特性曲线. 采用此忆阻器和负电导构成的有源忆阻器替换蔡氏混沌电路中的蔡氏二极管,导出了一个基于忆阻器的混沌振荡电路. 此外,利用常规的运算放大器和乘法器等元器件给出了有源忆阻器的等效电路实现形式. 理论分析、数值仿真和电路仿真结果一致,均表明忆阻混沌电路的动力学行为依赖于忆阻器的初始状态,在不同初始状态下存在混沌振荡、周期振荡或稳定的汇等不同的运行轨道.

English Abstract

参考文献 (39)

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