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图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究

倪海桥 贺继方 王国伟 牛智川 王秀平 杨晓红 韩勤 鞠研玲 杜云 朱彬 王杰

图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究

倪海桥, 贺继方, 王国伟, 牛智川, 王秀平, 杨晓红, 韩勤, 鞠研玲, 杜云, 朱彬, 王杰
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  • 报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60 nm高14 nm的近三角形.低温87 K下光致发光谱测试在793.7和799.5 nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8 meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB936304,2006CB302802)、国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z421,2009AA03Z404)和国家自然科学基金(批准号:60876093)资助的课题.
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    Auslaender O M, Yacoby A 2002 Science 295 825

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    Divochiy A, Marsili F, Bitauld D 2008 Nature Photonics 2 302

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    Wang X L, Ogura M, Matsuhata H 1995 Appl. Phys. Lett. 67 3629

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    Adachi S 1994 GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties (Singapore:World Scientific Press) p151

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    Adachi S 1994 GaAs and Related Materials: Bulk Semiconducting and Superlattice Properties (Singapore: World Scientific Press) p254

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-12
  • 修回日期:  2010-06-28
  • 刊出日期:  2011-02-15

图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB936304,2006CB302802)、国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z421,2009AA03Z404)和国家自然科学基金(批准号:60876093)资助的课题.

摘要: 报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60 nm高14 nm的近三角形.低温87 K下光致发光谱测试在793.7和799.5 nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8 meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.

English Abstract

参考文献 (29)

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