搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

运用球高斯分布极化势研究低能电子与H2 分子碰撞的振动激发动量迁移散射截面

王斌 曾阳阳 王小炼 孙卫国 冯灏 樊群超

运用球高斯分布极化势研究低能电子与H2 分子碰撞的振动激发动量迁移散射截面

王斌, 曾阳阳, 王小炼, 孙卫国, 冯灏, 樊群超
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3813
  • PDF下载量:  829
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-12-21
  • 修回日期:  2010-05-10
  • 刊出日期:  2011-02-15

运用球高斯分布极化势研究低能电子与H2 分子碰撞的振动激发动量迁移散射截面

  • 1. (1)四川大学材料科学与工程学院,成都 610065; (2)四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065; (3)四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065;四川大学材料科学与工程学院,成都 610065; (4)四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065;四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065; (5)西华大学物理与化学学院,先进计算研究中心,成都 610039
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10504022,10774105)资助的课题.

摘要: 用最近改进的球高斯分布(distributed spherical Gaussian,DSG)极化势模型,在振动密耦合框架下和基于量子力学从头计算的静电势、交换势的基础上,研究了低能电子与H2分子碰撞振动激发的动量迁移散射截面(momentum transfer cross section,MTCS).通过包含18个振动波函数、5个分波和16个分子对称性,得到了0E≤10 eV时收敛性很好的ν=0→ν'=0,1,2,3等几个振动跃迁通道和总的MTCS,并与其他实验和理论得到的值进行了比较和分析.

English Abstract

参考文献 (28)

目录

    /

    返回文章
    返回