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不同电介质结构下介质阻挡放电特性研究

董丽芳 杨玉杰 刘为远 岳晗 王帅 刘忠伟 陈强

不同电介质结构下介质阻挡放电特性研究

董丽芳, 杨玉杰, 刘为远, 岳晗, 王帅, 刘忠伟, 陈强
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  • 设计制作了单面有氧化铟锡(ITO)导电介质层的双玻璃介质层的介质阻挡放电装置,研究了其放电特性,并将其与双玻璃介质层和单玻璃介质层的介质阻挡放电进行了比较.从电荷输运的角度分析,上述三种装置分别实现了电荷的二维、零维和三维输运.采用两种不同的双玻璃介质层装置,获得了单个稳定的放电丝.与无ITO导电层的双玻璃结构得到的单个放电丝相比,单面有导电ITO介质的双玻璃结构中,单放电丝呈"T"字型,其光晕是前者光晕的2倍,其放电电流大于前者电流,其放电时间间隔长短交替现象更为明显,且存在强度大小交替的现象.分析表明,壁电荷输运及二次电子发射的不同导致了不同电介质结构放电特性的不同.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10975043,10775037)、河北省自然科学基金(批准号:A2008000564,A2010000185)和北京市印刷包装材料与技术重点实验室开放课题(批准号: KF201006)资助的课题.
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    Stollenwerk L 2009 New J. Phys. 11 103034

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    Reece R J, Jozef R, Dai X, Sherman D M 2005 J. Phys. D: Appl. Phys. 38 555

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    Kogelschatz U 2003 Plasma Chemistry and Plasma Processing 23 1

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    Shi H, Wang Y H, Wang D Z 2008 Phys. Plasmas 15 122306

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    Zhang ZT, Yang B, Xiao Y, Xu Y, Wu X D 2004 Nuclear Fusion and Plasma Physics 24 208 (in Chinese) [张芝涛、杨 〖14] Wang YH, Wang DZ 2003 Acta Phys. Sin. 52 1694 (in Chinese) [王艳辉、王德真2003 物理学报 52 1694]

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    Merbahi N, Sewraj N, Marchal F, Salamero Y, Millet P 2004 J. Phys. D: Appl. Phys. 37 1664

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    Gurevich S V, Amiranashvili Sh, Purwins H -G 2006 Phys. Rev. E 74 066201

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-30
  • 修回日期:  2010-04-27
  • 刊出日期:  2011-01-05

不同电介质结构下介质阻挡放电特性研究

  • 1. (1)北京印刷学院等离子体物理材料实验室,北京 102600; (2)河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10975043,10775037)、河北省自然科学基金(批准号:A2008000564,A2010000185)和北京市印刷包装材料与技术重点实验室开放课题(批准号: KF201006)资助的课题.

摘要: 设计制作了单面有氧化铟锡(ITO)导电介质层的双玻璃介质层的介质阻挡放电装置,研究了其放电特性,并将其与双玻璃介质层和单玻璃介质层的介质阻挡放电进行了比较.从电荷输运的角度分析,上述三种装置分别实现了电荷的二维、零维和三维输运.采用两种不同的双玻璃介质层装置,获得了单个稳定的放电丝.与无ITO导电层的双玻璃结构得到的单个放电丝相比,单面有导电ITO介质的双玻璃结构中,单放电丝呈"T"字型,其光晕是前者光晕的2倍,其放电电流大于前者电流,其放电时间间隔长短交替现象更为明显,且存在强度大小交替的现象.分析表明,壁电荷输运及二次电子发射的不同导致了不同电介质结构放电特性的不同.

English Abstract

参考文献 (19)

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