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Sr/Si(100)表面TiSi2纳米岛的扫描隧道显微镜研究

杨景景 杜文汉

Sr/Si(100)表面TiSi2纳米岛的扫描隧道显微镜研究

杨景景, 杜文汉
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-02-24
  • 修回日期:  2010-06-27
  • 刊出日期:  2011-03-15

Sr/Si(100)表面TiSi2纳米岛的扫描隧道显微镜研究

  • 1. (1)常州工学院物理实验中心,常州 213002; (2)中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室,合肥 230026

摘要: 为了解半导体衬底与氧化物之间存在的相互作用,以及量子尺寸效应对不同再构体的影响,制备了1—2个原子层厚的TiSi2/Si(100)纳米岛,并使用扫描隧道显微镜(STM)表征手段详细地研究了TiSi2 /Si(100)纳米岛的电子和几何特性. 结果发现:这些纳米岛表面显示出明显的金属性;其空态STM图像具有典型的偏压依赖性:在高偏压下STM 图像由三聚物形成的单胞构成,并在低偏压下STM 图像显示为密堆积的图案,这些不同的图案反映出不同能量位的态密度有明显差异.

English Abstract

参考文献 (15)

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