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Ag/Nd0.7Sr0.3MnO3陶瓷界面电输运性质研究

陈顺生 黄昌 王瑞龙 杨昌平 孙志刚

Ag/Nd0.7Sr0.3MnO3陶瓷界面电输运性质研究

陈顺生, 黄昌, 王瑞龙, 杨昌平, 孙志刚
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  • 用渗银和银胶接触两种方法分别在多晶Nd0.7Sr0.3MnO3陶瓷样品上制作电极,用两线和四线模式对两种接触界面的直、交流特性进行测量.结果发现:渗银电极与陶瓷样品之间具有很好的欧姆接触特性,两线、四线模式下的电阻测量值相近,并且没有电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应;而用银胶接触作电极时,V-I曲线表现出关于原点对称的非线性特征,并出现稳定的室温EPIR效应.两种不同方法制备的电极在交流电场下的输运也有很大差异:渗银电极阻抗
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10774040, 10911120055/A0402)和教育部新世纪人才基金 (批准号: NCET-08-0674)资助的课题.
    [1]

    Rüggeberg F, Klein A 2006 Appl. Phys. A 82 281

    [2]

    7971

    [3]

    Nakasaka T, Urago K, Sugiura M, Kobayashi T 2001 Jpn. J. Appl. Phys. (Part 2) 40 L518

    [4]

    P217 (in Chinese) [刘恩科、 朱秉升、 罗晋生 2008 半导体物理学(第7版)(北京:电子工业出版社) 第217页]

    [5]

    Liu G L, Yang Z H, Fang G L 2009 Acta Phys. Sin. 58 3364 (in Chinese) [刘贵立、 杨忠华、 方戈亮 2009 物理学报 58 3364]

    [6]

    Li Y B, Liu X, Li Z H, Fu Y, A. S. Kamzin, Wei F L, Yang Z 2009 Acta Phys. Sin. 58 7972 (in Chinese) [李彦波、 刘 曦、 李正华、 付 煜、 阿·谢·卡姆津、 魏福林、 杨 正 2009 物理学报 58 7972]

    [7]

    Wang C, Wang C Y 2009 Chin. Phys. B 18 3928

    [8]

    Klein A, Suberlich F, Spth B, Schulmeyer T, Kraft D 2007 J. Mater. Sci. 42 1890

    [9]

    Tiefenbacher S, Pettenkofer C, Jaegermann W 2002 J. Appl. Phys. 91 1984

    [10]

    Van de Krol R, Tuller H L 2002 Solid State Ionics 150 167

    [11]

    Krber C, Harvey S P, Mason T O, Klein A 2008 Surf. Sci. 602 3246

    [12]

    Gassenbauer Y, Wachau A, Klein A 2009 Phys. Chem. Chem. Phys. 11 3049

    [13]

    Maier J 2009 Phys. Chem. Chem. Phys. 11 3011

    [14]

    Meng Y, Zhang P J, Liu Z Y, Liao Z L, Pan X Y, Liang X J, Zhao H W, Chen D M 2010 Chin. Phys. B 19 037304

    [15]

    Andreasson B P, Janousch M, Staub U, Meijer G I, Delley B 2007 Mater. Sci. Eng. B 144 60

    [16]

    Gross R, Alff L, Büchner B, Freitag B H, Hüfener C, Klein J, Lu Y F, Mader W, Philipp J B, Rao M S R, Reutler P, Ritter S, Thienhaus S, Uhlenbruck S, Wiedenhorst B 2000 J. Magn. Magn. Mater. 211 150

    [17]

    Hwang H, Cheong S W, Ong N P, Batlogg B 1996 Phys. Rev. Lett. 77 2041

    [18]

    Gupta A, Gong G Q, Xiao G, Duncombe P R, Lecoeur P, Trouilloud P, Wang Y Y, Dravid V P, Sun J Z 1996 Phys. Rev. B 54 R15629

    [19]

    Mathur N D, Burnell G, Isaac S P, Jackson T J, Teo B S, MacManus-Driscoll J L, Cohen L F, Evetts J E, Blamire M G 1997 Nature 387 266

    [20]

    Maurice J L, Devos I, Casanove M J, Carrétéro C, Gachet G, Herranz G, Crété D G, Imhoff D, Barthélémy A, Bibes M, Bouzehouane K, Deranlot C, Fusil S, Jacquet é, Domengès B, Ballutaud D 2007 Mater. Sci. Eng. B 144 1

    [21]

    Yang C P, Chen S S, Dai Q, Guo D H, Wang H 2007 Acta Phys. Sin. 56 4908 (in Chinese) [杨昌平、 陈顺生、 戴 琪、 郭定和、 王 浩 2007 物理学报 56 4908]

    [22]

    Liu S Q, Wu N J, Ignatiev A 2000 Appl. Phys. Lett. 76 2749

    [23]

    Xie Y W, Sun J R, Wang D J, Liang S, Shen B G 2006 J. Appl. Phys. 100 033704

    [24]

    Oka T, Nagaosa N 2005 Phys. Rev. Lett. 95 266403

    [25]

    Baikalov A, Wang Y Q, Shen B, Lorenz B, Tsui S, Sun Y Y, Xue Y Y, Chu C W 2003 Appl. Phys. Lett. 83 975

    [26]

    Sawa A, Fujii T, Kawasaki M, Tokura Y 2004 Appl. Phys. Lett. 85 4073

    [27]

    Li Q, Wang Z G, Liu S, Xing Z W, Liu M 2007 Acta Phys. Sin. 56 1637 (in Chinese) [李 倩、 王之国、 刘 甦、 邢钟文、 刘 楣 2007 物理学报 56 1637]

    [28]

    Chen S S, Yang C P, Xu L F, Yang F J, Wang H B, Wang H, Xiong L B, Yu Y, Medvedeva I V, Brner K 2010 Solid State Commun. 150 240

    [29]

    Liu L P, Zhao Z J, Liu S, Huang C X, Wu Z M, Yang X L 2006 Acta Phys. Sin. 55 2014 (in Chinese) [刘龙平、 赵振杰、 黄灿星、 吴志明、 杨燮龙 2006 物理学报 55 2014]

    [30]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 2008 Semiconductor Physics (the 7th edition)(Bei jing:Publishing House of Electronics Industry)

    [31]

    Reagor D W, Lee S Y, Li Y, Jia Q X 2004 J. Appl. Phys. 95

    [32]

    Shang D S, Wang Q, Chen L D, Dong R, Li X M, Zhang W Q 2006 Phys. Rev. B 73 245427

  • [1]

    Rüggeberg F, Klein A 2006 Appl. Phys. A 82 281

    [2]

    7971

    [3]

    Nakasaka T, Urago K, Sugiura M, Kobayashi T 2001 Jpn. J. Appl. Phys. (Part 2) 40 L518

    [4]

    P217 (in Chinese) [刘恩科、 朱秉升、 罗晋生 2008 半导体物理学(第7版)(北京:电子工业出版社) 第217页]

    [5]

    Liu G L, Yang Z H, Fang G L 2009 Acta Phys. Sin. 58 3364 (in Chinese) [刘贵立、 杨忠华、 方戈亮 2009 物理学报 58 3364]

    [6]

    Li Y B, Liu X, Li Z H, Fu Y, A. S. Kamzin, Wei F L, Yang Z 2009 Acta Phys. Sin. 58 7972 (in Chinese) [李彦波、 刘 曦、 李正华、 付 煜、 阿·谢·卡姆津、 魏福林、 杨 正 2009 物理学报 58 7972]

    [7]

    Wang C, Wang C Y 2009 Chin. Phys. B 18 3928

    [8]

    Klein A, Suberlich F, Spth B, Schulmeyer T, Kraft D 2007 J. Mater. Sci. 42 1890

    [9]

    Tiefenbacher S, Pettenkofer C, Jaegermann W 2002 J. Appl. Phys. 91 1984

    [10]

    Van de Krol R, Tuller H L 2002 Solid State Ionics 150 167

    [11]

    Krber C, Harvey S P, Mason T O, Klein A 2008 Surf. Sci. 602 3246

    [12]

    Gassenbauer Y, Wachau A, Klein A 2009 Phys. Chem. Chem. Phys. 11 3049

    [13]

    Maier J 2009 Phys. Chem. Chem. Phys. 11 3011

    [14]

    Meng Y, Zhang P J, Liu Z Y, Liao Z L, Pan X Y, Liang X J, Zhao H W, Chen D M 2010 Chin. Phys. B 19 037304

    [15]

    Andreasson B P, Janousch M, Staub U, Meijer G I, Delley B 2007 Mater. Sci. Eng. B 144 60

    [16]

    Gross R, Alff L, Büchner B, Freitag B H, Hüfener C, Klein J, Lu Y F, Mader W, Philipp J B, Rao M S R, Reutler P, Ritter S, Thienhaus S, Uhlenbruck S, Wiedenhorst B 2000 J. Magn. Magn. Mater. 211 150

    [17]

    Hwang H, Cheong S W, Ong N P, Batlogg B 1996 Phys. Rev. Lett. 77 2041

    [18]

    Gupta A, Gong G Q, Xiao G, Duncombe P R, Lecoeur P, Trouilloud P, Wang Y Y, Dravid V P, Sun J Z 1996 Phys. Rev. B 54 R15629

    [19]

    Mathur N D, Burnell G, Isaac S P, Jackson T J, Teo B S, MacManus-Driscoll J L, Cohen L F, Evetts J E, Blamire M G 1997 Nature 387 266

    [20]

    Maurice J L, Devos I, Casanove M J, Carrétéro C, Gachet G, Herranz G, Crété D G, Imhoff D, Barthélémy A, Bibes M, Bouzehouane K, Deranlot C, Fusil S, Jacquet é, Domengès B, Ballutaud D 2007 Mater. Sci. Eng. B 144 1

    [21]

    Yang C P, Chen S S, Dai Q, Guo D H, Wang H 2007 Acta Phys. Sin. 56 4908 (in Chinese) [杨昌平、 陈顺生、 戴 琪、 郭定和、 王 浩 2007 物理学报 56 4908]

    [22]

    Liu S Q, Wu N J, Ignatiev A 2000 Appl. Phys. Lett. 76 2749

    [23]

    Xie Y W, Sun J R, Wang D J, Liang S, Shen B G 2006 J. Appl. Phys. 100 033704

    [24]

    Oka T, Nagaosa N 2005 Phys. Rev. Lett. 95 266403

    [25]

    Baikalov A, Wang Y Q, Shen B, Lorenz B, Tsui S, Sun Y Y, Xue Y Y, Chu C W 2003 Appl. Phys. Lett. 83 975

    [26]

    Sawa A, Fujii T, Kawasaki M, Tokura Y 2004 Appl. Phys. Lett. 85 4073

    [27]

    Li Q, Wang Z G, Liu S, Xing Z W, Liu M 2007 Acta Phys. Sin. 56 1637 (in Chinese) [李 倩、 王之国、 刘 甦、 邢钟文、 刘 楣 2007 物理学报 56 1637]

    [28]

    Chen S S, Yang C P, Xu L F, Yang F J, Wang H B, Wang H, Xiong L B, Yu Y, Medvedeva I V, Brner K 2010 Solid State Commun. 150 240

    [29]

    Liu L P, Zhao Z J, Liu S, Huang C X, Wu Z M, Yang X L 2006 Acta Phys. Sin. 55 2014 (in Chinese) [刘龙平、 赵振杰、 黄灿星、 吴志明、 杨燮龙 2006 物理学报 55 2014]

    [30]

    Liu E K, Zhu B S, Luo J S 2008 Semiconductor Physics (the 7th edition)(Bei jing:Publishing House of Electronics Industry)

    [31]

    Reagor D W, Lee S Y, Li Y, Jia Q X 2004 J. Appl. Phys. 95

    [32]

    Shang D S, Wang Q, Chen L D, Dong R, Li X M, Zhang W Q 2006 Phys. Rev. B 73 245427

  • [1] 陈顺生, 杨昌平, 邓 恒, 孙志刚. Nd0.7Sr0.3MnO3中显微结构相关电致电阻效应. 物理学报, 2008, 57(6): 3798-3802. doi: 10.7498/aps.57.3798
    [2] 吴美玲, 石大为, 阚芝兰, 王瑞龙, 丁益民, 肖海波, 杨昌平. La0.5Ca0.5MnO3内禀与界面电脉冲诱导电阻转变效应的比较. 物理学报, 2013, 62(20): 207302. doi: 10.7498/aps.62.207302
    [3] 杨昌平, 陈顺生, 戴 琪, 郭定和, 王 浩. Nd0.67Sr0.33MnOy(y<3.0)中的自旋相关电致电阻效应. 物理学报, 2007, 56(8): 4908-4913. doi: 10.7498/aps.56.4908
    [4] 王军国, 刘福生, 李永宏, 张明建, 张宁超, 薛学东. 在石英界面处液态水的冲击结构相变. 物理学报, 2012, 61(19): 196201. doi: 10.7498/aps.61.196201
    [5] 吕文辉, 张帅. 接触电阻对碳纳米管场发射的影响. 物理学报, 2012, 61(1): 018801. doi: 10.7498/aps.61.018801
    [6] 劳燕锋, 吴惠桢. 直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究. 物理学报, 2005, 54(9): 4334-4339. doi: 10.7498/aps.54.4334
    [7] 刘雅洁. 直接利用磁场和温度精确确定磁性材料La0.67Ca0.33MnO3和Pr0.7Sr0.3MnO3的电阻率. 物理学报, 2013, 62(1): 017601. doi: 10.7498/aps.62.017601
    [8] 陈永亮, 唐亚文, 陈沛润, 张力, 刘琪, 赵颖, 黄茜, 张晓丹. 钙钛矿太阳电池中的缓冲层研究进展. 物理学报, 2020, 69(13): 138401. doi: 10.7498/aps.69.20200543
    [9] 冯涛, Horst Hahn, Herbert Gleiter. 纳米结构非晶合金材料研究进展. 物理学报, 2017, 66(17): 176110. doi: 10.7498/aps.66.176110
    [10] 郑治秀, 张林. Fe基体中包含Cu团簇的Fe-Cu二元体系在升温过程中结构变化的原子尺度计算. 物理学报, 2017, 66(8): 086301. doi: 10.7498/aps.66.086301
    [11] 蒲晓庆, 吴静, 郭强, 蔡建臻. 石墨烯与金属的欧姆接触理论研究. 物理学报, 2018, 67(21): 217301. doi: 10.7498/aps.67.20181479
    [12] 刘贵立, 郭玉福, 李荣德. ZA27/CNT界面特性电子理论研究. 物理学报, 2007, 56(7): 4075-4078. doi: 10.7498/aps.56.4075
    [13] 刘汉臣, 唐远河, 解光勇, 邵建斌, 马 琦, 刘会平, 宁 辉, 杨 彧, 严成海. 基于粒子成像测速技术的水中气泡界面的光学性质研究. 物理学报, 2006, 55(5): 2257-2262. doi: 10.7498/aps.55.2257
    [14] 杨杭生, 谢英俊. 立方氮化硼薄膜生长过程中的界面控制. 物理学报, 2007, 56(9): 5400-5407. doi: 10.7498/aps.56.5400
    [15] 刘贵立, 杨忠华, 方戈亮. 镁/镀镍碳纳米管界面特性电子理论研究. 物理学报, 2009, 58(5): 3364-3369. doi: 10.7498/aps.58.3364
    [16] 宗亚平, 吴艳, 张宪刚, 王明涛. 晶粒生长演变相场法模拟界面表达的物理模型. 物理学报, 2011, 60(6): 068201. doi: 10.7498/aps.60.068201
    [17] 孙芳, 曾周末, 王晓媛, 靳世久, 詹湘琳. 界面条件下线型超声相控阵声场特性研究. 物理学报, 2011, 60(9): 094301. doi: 10.7498/aps.60.094301
    [18] 刘思冕, 韩卫忠. 金属材料界面与辐照缺陷的交互作用机理. 物理学报, 2019, 68(13): 137901. doi: 10.7498/aps.68.20190128
    [19] 王飞, 刘望, 邓爱红, 朱敬军, 安竹, 汪渊. 界面对ZrN/TaN纳米多层膜固氦性能的影响. 物理学报, 2013, 62(18): 186801. doi: 10.7498/aps.62.186801
    [20] 杨金, 周茂秀, 徐太龙, 代月花, 汪家余, 罗京, 许会芳, 蒋先伟, 陈军宁. 阻变存储器复合材料界面及电极性质研究. 物理学报, 2013, 62(24): 248501. doi: 10.7498/aps.62.248501
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-17
  • 修回日期:  2010-05-26
  • 刊出日期:  2011-03-15

Ag/Nd0.7Sr0.3MnO3陶瓷界面电输运性质研究

  • 1. (1)湖北大学物理学与电子技术学院,铁电压电材料与器件湖北省重点实验室,武汉 430062; (2)武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 10774040, 10911120055/A0402)和教育部新世纪人才基金 (批准号: NCET-08-0674)资助的课题.

摘要: 用渗银和银胶接触两种方法分别在多晶Nd0.7Sr0.3MnO3陶瓷样品上制作电极,用两线和四线模式对两种接触界面的直、交流特性进行测量.结果发现:渗银电极与陶瓷样品之间具有很好的欧姆接触特性,两线、四线模式下的电阻测量值相近,并且没有电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应;而用银胶接触作电极时,V-I曲线表现出关于原点对称的非线性特征,并出现稳定的室温EPIR效应.两种不同方法制备的电极在交流电场下的输运也有很大差异:渗银电极阻抗

English Abstract

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