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氧化锌锡薄膜晶体管的研究

王雄 才玺坤 原子健 朱夏明 邱东江 吴惠桢

氧化锌锡薄膜晶体管的研究

王雄, 才玺坤, 原子健, 朱夏明, 邱东江, 吴惠桢
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  • 在ITO玻璃基底上用射频磁控溅射技术生长氧化锌锡(ZnSnO)沟道有源层、用PECVD生长SiO2薄膜作为薄膜晶体管的栅绝缘层研制了薄膜晶体管(TFT), 器件的场效应迁移率最高达到μn=9.1 cm2/(V ·s),阈值电压-2 V,电流开关比为104.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10974174), 国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2011CB925603),浙江省自然科学基金(批准号:Z6100117, Y4080171)资助的课题.
    [1]

    Liu Y R, Wang Z X, Yu J L, Xu H H 2009 Acta Phys. Sin. 58 8566 (in Chinese) [刘玉荣、 王智欣、 虞佳乐、 徐海红 2009 物理学报 58 8566]

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    Transactions on Electron Devices 54 2856

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    Yuan G C, Xu Z, Zhao S L, Zhang F J, Jiang W W, Huang J Z, Song D D, Zhu H N, Huang J Y, Xu S 2008 Acta Phys. Sin. 57 5911 (in Chinese) [袁广才、 徐 征、 赵谡玲、 张福 [3] Gupta D, Anand M, Ryu S W, Choi Y K, Yoo S 2008 Appl. Phys. Lett. 93 224106

    [4]

    Carcia P F, McLean R S, Reilly M H, Nunes G 2003 Appl. Phys. Lett. 82 1117

    [5]

    Masuda S, Kitamura K, Okumura Y, Miyatake S, Tabata H, Kawai T 2003 J. Appl. Phys. 93 1624

    [6]

    Oh M S, Han J I, Lee K, Lee B H, Sung M M, Im S 2010 Electrochemical and Solid-State Letters 13 194

    [7]

    Avis C, Kim S H, Hur J H, Jang J, Milne W I 2009 Electrochemical and Solid-State Letters 12 93

    [8]

    Zhang Q, Saraf L V, Hua F 2007 Nanotechnology 18 195204

    [9]

    Sun J, Lu A X, Wang L P, Hu Y, Wan Q 2009 Nanotechnology 20 335204

    [10]

    Lim W, Douglas E A, Lee J, Jang J H, Craciun V 2009 J. Vac. Sci. Technol. B 27 2128

    [11]

    Paine D C, Yaglioglu B, Beiley Z, Lee S H 2008 Thin Solid Film. 516 5894

    [12]

    Wu H Z, Liang J, Jin G F, Lao Y F, Xu T L 2007 IEEE

    [13]

    Zhu X M, Wu H Z, Wang S J, Zhang Y Y, Cai C F, Si J X, Yuan Z J, Du X Y, Dong S R 2009 J. Semicond. 30 033001

    [14]

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    [15]

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    Chiang H Q, Wager J F, Hoffman R L, Jeong J, Keszler D A 2005 Appl. Phys. Lett. 86 013503

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    Jackson W B, Hoffman R L, Herman G S 2005 Appl. Phys. Lett. 87 193503

    [18]

    Grrn P, Hlzer P, Riedl T, Kowalsky W, Wang J, Weimann T, Hinze P, Kipp S 2007 Appl. Phys. Lett. 90 063502

    [19]

    Han S Y, Lee D H, Herman G S, Chang C H 2009 J. Display Technology 5 520

    [20]

    Chiang H Q, McFarlane B R, Hong D, Presley R E, Wager J F 2008 Journal of Non-Crystalline Solids 354 2826

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  • [1] 卢超, 陈伟, 罗尹虹, 丁李利, 王勋, 赵雯, 郭晓强, 李赛. 纳米体硅鳍形场效应晶体管单粒子瞬态中的源漏导通现象研究. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191896
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    [5] 张雅男, 詹楠, 邓玲玲, 陈淑芬. 利用银纳米立方增强效率的多层溶液加工白光有机发光二极管. 物理学报, 2020, 69(4): 047801. doi: 10.7498/aps.69.20191526
    [6] 梁晋洁, 高宁, 李玉红. 表面效应对铁\begin{document}${\left\langle 100 \right\rangle} $\end{document}间隙型位错环的影响. 物理学报, 2020, 69(3): 036101. doi: 10.7498/aps.69.20191379
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-24
  • 修回日期:  2010-06-21
  • 刊出日期:  2011-03-15

氧化锌锡薄膜晶体管的研究

  • 1. 浙江大学物理学系,硅材料国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10974174), 国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2011CB925603),浙江省自然科学基金(批准号:Z6100117, Y4080171)资助的课题.

摘要: 在ITO玻璃基底上用射频磁控溅射技术生长氧化锌锡(ZnSnO)沟道有源层、用PECVD生长SiO2薄膜作为薄膜晶体管的栅绝缘层研制了薄膜晶体管(TFT), 器件的场效应迁移率最高达到μn=9.1 cm2/(V ·s),阈值电压-2 V,电流开关比为104.

English Abstract

参考文献 (20)

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