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Nb/SnO2复合薄膜的制备、结构及光电性能

刘发民 钟文武 丁芃 蔡鲁刚 周传仓 曾乐贵

Nb/SnO2复合薄膜的制备、结构及光电性能

刘发民, 钟文武, 丁芃, 蔡鲁刚, 周传仓, 曾乐贵
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  • 用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃基底上制备出Nb/SnO2复合透明导电薄膜,利用XRD,SEM,紫外—可见分光光度计,四探针电阻仪等测试方法对Nb/SnO2复合薄膜的结构和物性进行了研究.结果表明: 当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜为较纯的四方金红石结构;复合薄膜中晶粒分布均匀,平均尺寸在5—7 nm.当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜的电阻率先减小后增大,当Nb含量为0.37at%时
    • 基金项目: 航天科学基金(批准号:373858)资助的课题.
    [1]

    Wu C G, Shen J, Li D, Ma G H 2009 Acta Phys. Sin. 58 8623 (in Chinese) [吴臣国、 沈 杰、 李 栋、 马国宏 2009 物理学报 58 8623]

    [2]

    Ginley D S, Bright C 2000 MRS Bull 25 15

    [3]

    Chen Z Q, Liu H M, Liu Y P, Chen W, Luo Z Q, Hu X W 2009 Acta Phys. Sin. 58 4260 (in Chinese) [陈兆权、 刘明海、 刘玉萍、 陈 伟、 罗志清、 胡希伟 2009 物理学报 58 4260]

    [4]

    Epifani M, Alvisi M, Mirenghi L, Leo G, Siciliano P, Vasanelli L 2001 J. Am. Ceram. 84 48

    [5]

    Thangaraju B 2002 Thin. Sol. Fi. 402 71

    [6]

    Ma J, Hao X T, Huang S L, Huang H, Yang Y G, Ma H L 2003 Appl. Surf. Sci. 214 208

    [7]

    Huang J Y, Fan G H, Zheng S W, Niu Q L, Li S T, Cao J X, Su J, Zhang Y 2010 Chin. Phys. B 19 047205

    [8]

    Rockenberger J, Zum Felde U, Tischer M, Troger L, Haase M, Weller H, Tischer M, Haase M 2000 J. Chem. Phys. 112 4296

    [9]

    Chaudhary V A, Mulla I S, Vijayamohanan K 1998 Sens. Actu-B 50 45

    [10]

    Jung Y S, Choi Y W, Lee H C, Lee D W 2003 Thin. Sol. Fi. 440 278

    [11]

    Ogale S B, Choudhary R J, Buban J P, Lofland S E, Shinde S R, Kale S N, Kulkarni V N, Higgins J, Lanci C, Simpson J R, Browning N D, Das Sarma S, Drew H D, Greene R L, Venkatesan T 2003 Phys. Rev. Lett. 91 077205

    [12]

    Liu C M, Fang L M, Zu X T 2009 Acta Phys. Sin. 58 936 (in Chinese) [刘春明、 方丽梅、 祖小涛 2009 物理学报 58 0936]

    [13]

    Kuang A L, Liu X C, Lu Z L, Ren S K, Liu C Y, Zhang F M, Du Y W 2005 Acta Phys. Sin. 54 2934 (in Chinese) [匡安龙、 刘兴翀、 路忠林、 任尚坤、 刘存业、 张凤鸣、 都有为 2005 物理学报 54 2934]

    [14]

    Santos-Pena J, Brousse T, Sanchez L, Morales J, Schleich D M 2001 J. Power Sources 97-8 232

    [15]

    Park S S, Zheng H, Mackenzie J D 1993 Mater. Lett. 17 346

    [16]

    Mazek M, Orel B 1998 Sol. En. M. 54 121

    [17]

    Vaufrey D, Ben Khalifa M, Besland M P, Sandu C, Blanchin M G, Teodorescu V, Roger J A, Tardy J 2002 Organic Light-Emitting Materials and Devices 4464 103

    [18]

    Kikuchi N, Kusano E, Kishio E, Kinbara A 2002 Vacuum 66 365

    [19]

    Wang C, Hou Y D, Wu N N, Zhu M K, Wang H, Yan H 2009 Acta Chim. Sin. 67 203 (in Chinese)[王 超、 侯育冬、 吴宁宁、 朱满康、 汪 浩、 严 辉 2009 化学学报 67 203]

    [20]

    Yan J F, Zhang Z Y, Deng Z H 2007 Journal of Huazhong University of Science and Technology (Nature Science Edition) 35 81 [闫军锋、 张志勇、 邓周虎 2007 华中科技大学学报 (自然科学版) 35 81]

    [21]

    Dawar A L, Joshi J C 1984 J. Mater. Sci. 19 1

    [22]

    Petritz R L 1956 Phys. Rev. 104 1508

    [23]

    Yan J K, Gan G Y, Chen H F, Zhang X W, Sun J L 2007 Semiconductor Technology 32 109 (in Chinese)[严继康、 甘国有、 陈海芳、 张小文、 孙加林 2007 半导体技术 32 109]

    [24]

    Gratzel M 1989 Heterogeneous photochemical electron transfer (Florida: CRC Press) 66—70

    [25]

    Terrier C, Chatelon J P, Roger J A 1997 Thin. Sol. Fi. 295 95

    [26]

    Jousse D 1985 Phys. Rev. B 31 5335

    [27]

    Shi X, Liu F M, Liu Y Y, Ding P, Zhou C C 2009 Acta Materiae Compositae Sinica 26 0113 [石 霞、 刘发民、 刘妍研、 丁 芃、 周传仓 2009 复合材料学报 26 0113]

  • [1]

    Wu C G, Shen J, Li D, Ma G H 2009 Acta Phys. Sin. 58 8623 (in Chinese) [吴臣国、 沈 杰、 李 栋、 马国宏 2009 物理学报 58 8623]

    [2]

    Ginley D S, Bright C 2000 MRS Bull 25 15

    [3]

    Chen Z Q, Liu H M, Liu Y P, Chen W, Luo Z Q, Hu X W 2009 Acta Phys. Sin. 58 4260 (in Chinese) [陈兆权、 刘明海、 刘玉萍、 陈 伟、 罗志清、 胡希伟 2009 物理学报 58 4260]

    [4]

    Epifani M, Alvisi M, Mirenghi L, Leo G, Siciliano P, Vasanelli L 2001 J. Am. Ceram. 84 48

    [5]

    Thangaraju B 2002 Thin. Sol. Fi. 402 71

    [6]

    Ma J, Hao X T, Huang S L, Huang H, Yang Y G, Ma H L 2003 Appl. Surf. Sci. 214 208

    [7]

    Huang J Y, Fan G H, Zheng S W, Niu Q L, Li S T, Cao J X, Su J, Zhang Y 2010 Chin. Phys. B 19 047205

    [8]

    Rockenberger J, Zum Felde U, Tischer M, Troger L, Haase M, Weller H, Tischer M, Haase M 2000 J. Chem. Phys. 112 4296

    [9]

    Chaudhary V A, Mulla I S, Vijayamohanan K 1998 Sens. Actu-B 50 45

    [10]

    Jung Y S, Choi Y W, Lee H C, Lee D W 2003 Thin. Sol. Fi. 440 278

    [11]

    Ogale S B, Choudhary R J, Buban J P, Lofland S E, Shinde S R, Kale S N, Kulkarni V N, Higgins J, Lanci C, Simpson J R, Browning N D, Das Sarma S, Drew H D, Greene R L, Venkatesan T 2003 Phys. Rev. Lett. 91 077205

    [12]

    Liu C M, Fang L M, Zu X T 2009 Acta Phys. Sin. 58 936 (in Chinese) [刘春明、 方丽梅、 祖小涛 2009 物理学报 58 0936]

    [13]

    Kuang A L, Liu X C, Lu Z L, Ren S K, Liu C Y, Zhang F M, Du Y W 2005 Acta Phys. Sin. 54 2934 (in Chinese) [匡安龙、 刘兴翀、 路忠林、 任尚坤、 刘存业、 张凤鸣、 都有为 2005 物理学报 54 2934]

    [14]

    Santos-Pena J, Brousse T, Sanchez L, Morales J, Schleich D M 2001 J. Power Sources 97-8 232

    [15]

    Park S S, Zheng H, Mackenzie J D 1993 Mater. Lett. 17 346

    [16]

    Mazek M, Orel B 1998 Sol. En. M. 54 121

    [17]

    Vaufrey D, Ben Khalifa M, Besland M P, Sandu C, Blanchin M G, Teodorescu V, Roger J A, Tardy J 2002 Organic Light-Emitting Materials and Devices 4464 103

    [18]

    Kikuchi N, Kusano E, Kishio E, Kinbara A 2002 Vacuum 66 365

    [19]

    Wang C, Hou Y D, Wu N N, Zhu M K, Wang H, Yan H 2009 Acta Chim. Sin. 67 203 (in Chinese)[王 超、 侯育冬、 吴宁宁、 朱满康、 汪 浩、 严 辉 2009 化学学报 67 203]

    [20]

    Yan J F, Zhang Z Y, Deng Z H 2007 Journal of Huazhong University of Science and Technology (Nature Science Edition) 35 81 [闫军锋、 张志勇、 邓周虎 2007 华中科技大学学报 (自然科学版) 35 81]

    [21]

    Dawar A L, Joshi J C 1984 J. Mater. Sci. 19 1

    [22]

    Petritz R L 1956 Phys. Rev. 104 1508

    [23]

    Yan J K, Gan G Y, Chen H F, Zhang X W, Sun J L 2007 Semiconductor Technology 32 109 (in Chinese)[严继康、 甘国有、 陈海芳、 张小文、 孙加林 2007 半导体技术 32 109]

    [24]

    Gratzel M 1989 Heterogeneous photochemical electron transfer (Florida: CRC Press) 66—70

    [25]

    Terrier C, Chatelon J P, Roger J A 1997 Thin. Sol. Fi. 295 95

    [26]

    Jousse D 1985 Phys. Rev. B 31 5335

    [27]

    Shi X, Liu F M, Liu Y Y, Ding P, Zhou C C 2009 Acta Materiae Compositae Sinica 26 0113 [石 霞、 刘发民、 刘妍研、 丁 芃、 周传仓 2009 复合材料学报 26 0113]

  • [1] 刘丽, 刘杰, 曾健, 翟鹏飞, 张胜霞, 徐丽君, 胡培培, 李宗臻, 艾文思. 快重离子辐照对YBa2Cu3O7-δ薄膜微观结构及载流特性的影响. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191914
    [2] 梁琦, 王如志, 杨孟骐, 王长昊, 刘金伟. Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能研究. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191923
    [3] 赵建宁, 刘冬欢, 魏东, 尚新春. 考虑界面接触热阻的一维复合结构的热整流机理. 物理学报, 2020, 69(5): 056501. doi: 10.7498/aps.69.20191409
    [4] 白家豪, 郭建刚. 石墨烯/柔性基底复合结构双向界面切应力传递问题的理论研究. 物理学报, 2020, 69(5): 056201. doi: 10.7498/aps.69.20191730
    [5] 汪静丽, 陈子玉, 陈鹤鸣. 基于Si3N4/SiNx/Si3N4三明治结构的偏振无关1 × 2多模干涉型解复用器的设计. 物理学报, 2020, 69(5): 054206. doi: 10.7498/aps.69.20191449
    [6] 左富昌, 梅志武, 邓楼楼, 石永强, 贺盈波, 李连升, 周昊, 谢军, 张海力, 孙艳. 多层嵌套掠入射光学系统研制及在轨性能评价. 物理学报, 2020, 69(3): 030702. doi: 10.7498/aps.69.20191446
    [7] 蒋涛, 任金莲, 蒋戎戎, 陆伟刚. 基于局部加密纯无网格法非线性Cahn-Hilliard方程的模拟. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191829
    [8] 廖天军, 吕贻祥. 热光伏能量转换器件的热力学极限与优化性能预测. 物理学报, 2020, 69(5): 057202. doi: 10.7498/aps.69.20191835
    [9] 刘厚通, 毛敏娟. 一种无需定标的地基激光雷达气溶胶消光系数精确反演方法. 物理学报, 2019, 68(7): 074205. doi: 10.7498/aps.68.20181825
    [10] 张松然, 何代华, 涂华垚, 孙艳, 康亭亭, 戴宁, 褚君浩, 俞国林. HgCdTe薄膜的输运特性及其应力调控. 物理学报, 2020, 69(5): 057301. doi: 10.7498/aps.69.20191330
    [11] 董正琼, 赵杭, 朱金龙, 石雅婷. 入射光照对典型光刻胶纳米结构的光学散射测量影响分析. 物理学报, 2020, 69(3): 030601. doi: 10.7498/aps.69.20191525
    [12] 王艳, 徐进良, 李文, 刘欢. 超临界Lennard-Jones流体结构特性分子动力学研究. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191591
    [13] 刘祥, 米文博. Verwey相变处Fe3O4的结构、磁性和电输运特性. 物理学报, 2020, 69(4): 040505. doi: 10.7498/aps.69.20191763
    [14] 方文玉, 张鹏程, 赵军, 康文斌. H, F修饰单层GeTe的电子结构与光催化性质. 物理学报, 2020, 69(5): 056301. doi: 10.7498/aps.69.20191391
    [15] 任县利, 张伟伟, 伍晓勇, 吴璐, 王月霞. 高熵合金短程有序现象的预测及其对结构的电子、磁性、力学性质的影响. 物理学报, 2020, 69(4): 046102. doi: 10.7498/aps.69.20191671
    [16] 吴美梅, 张超, 张灿, 孙倩倩, 刘玫. 三维金字塔立体复合基底表面增强拉曼散射特性. 物理学报, 2020, 69(5): 058101. doi: 10.7498/aps.69.20191636
    [17] 李闯, 李伟伟, 蔡理, 谢丹, 刘保军, 向兰, 杨晓阔, 董丹娜, 刘嘉豪, 陈亚博. 基于银纳米线电极-rGO敏感材料的柔性NO2气体传感器. 物理学报, 2020, 69(5): 058101. doi: 10.7498/aps.69.20191390
    [18] 杨永霞, 李玉叶, 古华光. Pre-Bötzinger复合体的从簇到峰放电的同步转迁及分岔机制. 物理学报, 2020, 69(4): 040501. doi: 10.7498/aps.69.20191509
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-27
  • 修回日期:  2010-06-25
  • 刊出日期:  2011-03-15

Nb/SnO2复合薄膜的制备、结构及光电性能

  • 1. (1)北京航空航天大学物理科学与核能工程学院物理系纳米测控与低维物理教育部重点实验室,北京 100191; (2)北京航空航天大学物理科学与核能工程学院物理系纳米测控与低维物理教育部重点实验室,北京 100191; 装甲兵工程学院基础部,北京 100072
    基金项目: 

    航天科学基金(批准号:373858)资助的课题.

摘要: 用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃基底上制备出Nb/SnO2复合透明导电薄膜,利用XRD,SEM,紫外—可见分光光度计,四探针电阻仪等测试方法对Nb/SnO2复合薄膜的结构和物性进行了研究.结果表明: 当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜为较纯的四方金红石结构;复合薄膜中晶粒分布均匀,平均尺寸在5—7 nm.当Nb含量小于0.99at%时,Nb/SnO2复合薄膜的电阻率先减小后增大,当Nb含量为0.37at%时

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