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基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

蔡元学 掌蕴东 党博石 吴昊 王金芳 袁萍

基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

蔡元学, 掌蕴东, 党博石, 吴昊, 王金芳, 袁萍
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-10
  • 修回日期:  2010-07-14
  • 刊出日期:  2011-02-05

基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

  • 1. 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室光电子技术研究所,哈尔滨 150080
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA12Z112),国家自然科学基金(批准号:60878006)资助的课题.

摘要: 分析了Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍.

English Abstract

参考文献 (13)

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