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n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响

高勇 张如亮 王冬芳 马丽

n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响

高勇, 张如亮, 王冬芳, 马丽
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  • 结合SiGe材料的优异性能与超结结构在功率器件方面的优势,提出了一种超结SiGe功率二极管.该器件有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,取代传统功率二极管的n-基区;二是阳极p+区采用很薄的应变SiGe材料.该二极管可以克服常规Si p+n-n+功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降随之增大,反向恢复时间也变长.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真
    • 基金项目: 陕西省教育厅专项科研项目(批准号:09JK640)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-07
  • 修回日期:  2010-07-29
  • 刊出日期:  2011-02-05

n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响

  • 1. (1)西安理工大学电子工程系,西安 710048; (2)西安理工大学应用物理系,西安 710048
    基金项目: 

    陕西省教育厅专项科研项目(批准号:09JK640)资助的课题.

摘要: 结合SiGe材料的优异性能与超结结构在功率器件方面的优势,提出了一种超结SiGe功率二极管.该器件有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,取代传统功率二极管的n-基区;二是阳极p+区采用很薄的应变SiGe材料.该二极管可以克服常规Si p+n-n+功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降随之增大,反向恢复时间也变长.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真

English Abstract

参考文献 (19)

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