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透射式负电子亲和势GaN光电阴极的光谱响应研究

王晓晖 常本康 钱芸生 高频 张益军 乔建良 杜晓晴

透射式负电子亲和势GaN光电阴极的光谱响应研究

王晓晖, 常本康, 钱芸生, 高频, 张益军, 乔建良, 杜晓晴
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-07-20
  • 修回日期:  2010-08-22
  • 刊出日期:  2011-05-15

透射式负电子亲和势GaN光电阴极的光谱响应研究

  • 1. (1)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094; (2)重庆大学光电工程学院,重庆 400030
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:60871012,60701013)资助的课题.

摘要: 利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)生长了发射层厚度为150 nm、掺杂浓度为1.6×1017 cm-3的透射式GaN光电阴极,并在超高真空激活系统中对其进行了激活.通过多信息量测试系统进行了测试,发现透射式负电子亲和势(NEA)GaN光电阴极的量子效率曲线成一个"门"的形状,在255—355 nm波段有较大且平坦的响应,在290 nm处取得最大值为13%,由于AlN缓冲层对短波段光的吸收系数较大,在小于255 nm的波段量子效率出现了下降,当波长大于3

English Abstract

参考文献 (15)

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