搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型

屈江涛 张鹤鸣 王冠宇 王晓艳 胡辉勇

多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型

屈江涛, 张鹤鸣, 王冠宇, 王晓艳, 胡辉勇
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  3519
  • PDF下载量:  608
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-04
  • 修回日期:  2010-08-17
  • 刊出日期:  2011-05-15

多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,6139801)资助的课题.

摘要: 本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶SiGe栅量子阱沟道pMOS阈值电压和表面寄生沟道开启电压模型.应用MATLAB对该器件模型进行了数值分析,讨论了多晶Si1-yGey栅Ge组分、Si1-xGex量子阱沟道Ge组分、栅氧化层厚度、Si帽层厚度、沟道区掺杂浓度和

English Abstract

参考文献 (16)

目录

    /

    返回文章
    返回