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808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究

郝永芹 冯源 王菲 晏长岭 赵英杰 王晓华 王玉霞 姜会林 高欣 薄报学

808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究

郝永芹, 冯源, 王菲, 晏长岭, 赵英杰, 王晓华, 王玉霞, 姜会林, 高欣, 薄报学
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-06-28
  • 修回日期:  2010-08-05
  • 刊出日期:  2011-03-05

808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究

  • 1. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61076039)和教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-07-0122)资助的课题.

摘要: 垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的载流子聚集效应使注入到有源区的工作电流只是通过边缘环形区域很窄的通道,激光功率密度分布不均匀;尤其当器件尺寸较大时,激射光斑呈现环状,环中间光强很弱.这是研制电抽运高功率大尺寸VCSEL尤为突出的技术难题.采用新型结构成功研制出808 nm波段高功率大孔径VCSEL,在注入电流为1A时,室温下连续输出功率达0.3 W.

English Abstract

参考文献 (15)

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