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强直流场介质表面次级电子倍增效应的数值模拟研究

蔡利兵 王建国 朱湘琴

强直流场介质表面次级电子倍增效应的数值模拟研究

蔡利兵, 王建国, 朱湘琴
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-16
  • 修回日期:  2010-09-25
  • 刊出日期:  2011-04-05

强直流场介质表面次级电子倍增效应的数值模拟研究

  • 1. 西北核技术研究所, 西安 710024;
  • 2. 西安交通大学电子与信息工程学院,西安 710049

摘要: 通过粒子模拟方法,实现了强直流场下介质表面击穿过程中次级电子倍增效应的数值模拟.具体研究了强直流场场强、介质表面光滑度和次级电子产生率等对次级电子倍增的影响,以及倾斜直流场和外加磁场对次级电子倍增的抑制.结果表明,选择次级电子产生率较低的介质材料和倾斜强直流场可以有效降低次级电子倍增效应的强度,而外加磁场必须超过一定值时才可以有效降低次级电子倍增强度.

English Abstract

参考文献 (35)

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