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AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系

陈依新 沈光地 高志远 郭伟玲 张光沉 韩军 朱彦旭

AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系

陈依新, 沈光地, 高志远, 郭伟玲, 张光沉, 韩军, 朱彦旭
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  • 目前,AlGaInP大功率发光二极管(LED)存在的主要问题是大电流工作时发热严重,主要是由于电流扩展不均匀、出光面电极对光子的阻挡和吸收以及器件材料与空气折射率之间的差距引起的全反射现象,这些因素造成大功率LED出光受到限制、发光效率低、亮度不高.提出了一种复合电流扩展层和复合分布式布拉格反射层(DBR)的新型结构LED,使得注入电流在有源区充分地扩散,同时提高了常规单DBR对光子的反射率.结果显示,这种新型结构LED比常规结构LED的性能得到了很大的提升,350 mA注入电流下两者的输出光功率分别为4
    • 基金项目: 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902)资助的课题.
    [1]

    Yen C H, Liu Y J, Huang N Y, Yu K H, Chen T P, Chen L Y, Tsai T H, Lee C Y, Liu W C 2008 IEEE Photon. Techn. Lett. 20 1923

    [2]
    [3]

    Liu L, Fan G H, Liao C J, Gao M D, Chen G C, Chen L H 2003 Acta Phys. Sin. 52 1264 (in Chinese)[刘 鲁、范广涵、廖常俊、曹明德、陈贵楚、陈练辉 2003 物理学报 52 1264]

    [4]

    Altieri P, Jaeger A, Windisch R 2005 J. Appl. Phys. 98 086101

    [5]
    [6]

    Sugawara H, Itaya K, Hatako S, Geni C 1994 Jpn. J. Appl. Phys. 33 6195

    [7]
    [8]
    [9]

    Da X L 2007 Ph. D. Dissertation (Beijing: Beijing University of Technology) p107(in Chinese)[达小丽 2007 博士学位论文 (北京:北京工业大学) 第107页]

    [10]

    Chen Y X, Shen G D, Li J J, Han J R, Xu C 2009 Chin. J. Semicond. 30 084009 (in Chinese) [陈依新、沈光地、李建军、 韩金茹、徐 晨 2009 半导体学报 30 084009]

    [11]
    [12]
    [13]

    Windisch R, Rooman C, Meinlschmidt C 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2315

    [14]

    Chen Y X, Zheng W H, Chen W, Chen L H, Tang Y D, Shen G D 2010 Acta Phys. Sin. 59 8083 (in Chinese) [陈依新、郑婉华、陈 薇、陈良惠、汤益丹、沈光地 2010 物理学报59 8083]

    [15]
    [16]

    Zhang J M, Zou D S, Liu S N, Xu C, Shen G D 2007 Acta Phys. Sin. 56 2905 (in Chinese) [张剑铭、邹德恕、刘思南、徐 晨、沈光地 2007 物理学报56 2905]

    [17]
    [18]

    Han J,Li J J,Deng J,Xing Y H,Yu X D,Lin W Z,Liu Y,Shen G D 2008 J. Optoelectron. Laser 19 456 (in Chinese) [韩 军、李建军、邓 军、邢燕辉、于晓东、林委之、刘 莹、沈光地 2008 光电子

    [19]
    [20]

    Yu X D, Han J, Li J J, Deng J, Lin W Z, Da X L, Chen Y X, Shen G D 2007 Chin. J. Semicond. 28 100 (in Chinese) [于晓东、韩 军、李建军、邓 军、林委之、达小丽、陈依新、沈光地 2007 半导体学报28 100]

    [21]
    [22]

    Zhang K, Zhu F C, Huan H A, Weea T S 2000 Thin Solid Films 376 255

    [23]
    [24]

    Zhu Y X 2007 Ph. D. Dissertation (Beijing: Beijing University of Technology) p89(in Chinese) [朱彦旭 2007 博士学位论文(北京:北京工业大学) 第89页]

    [25]
    [26]
    [27]

    Robert F P 2004 Semiconductor Device Fundamentals (Beijing: Publishing House of Electronics Industry) p262 (in Chinese)[罗伯特 F P2004 半导体器件基础(中译本)(北京:电子工业出版社) 第262页]

    [28]

    Lee C C 2004 IEEE Photon. Technol. Lett. 16 1706

    [29]
  • [1]

    Yen C H, Liu Y J, Huang N Y, Yu K H, Chen T P, Chen L Y, Tsai T H, Lee C Y, Liu W C 2008 IEEE Photon. Techn. Lett. 20 1923

    [2]
    [3]

    Liu L, Fan G H, Liao C J, Gao M D, Chen G C, Chen L H 2003 Acta Phys. Sin. 52 1264 (in Chinese)[刘 鲁、范广涵、廖常俊、曹明德、陈贵楚、陈练辉 2003 物理学报 52 1264]

    [4]

    Altieri P, Jaeger A, Windisch R 2005 J. Appl. Phys. 98 086101

    [5]
    [6]

    Sugawara H, Itaya K, Hatako S, Geni C 1994 Jpn. J. Appl. Phys. 33 6195

    [7]
    [8]
    [9]

    Da X L 2007 Ph. D. Dissertation (Beijing: Beijing University of Technology) p107(in Chinese)[达小丽 2007 博士学位论文 (北京:北京工业大学) 第107页]

    [10]

    Chen Y X, Shen G D, Li J J, Han J R, Xu C 2009 Chin. J. Semicond. 30 084009 (in Chinese) [陈依新、沈光地、李建军、 韩金茹、徐 晨 2009 半导体学报 30 084009]

    [11]
    [12]
    [13]

    Windisch R, Rooman C, Meinlschmidt C 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2315

    [14]

    Chen Y X, Zheng W H, Chen W, Chen L H, Tang Y D, Shen G D 2010 Acta Phys. Sin. 59 8083 (in Chinese) [陈依新、郑婉华、陈 薇、陈良惠、汤益丹、沈光地 2010 物理学报59 8083]

    [15]
    [16]

    Zhang J M, Zou D S, Liu S N, Xu C, Shen G D 2007 Acta Phys. Sin. 56 2905 (in Chinese) [张剑铭、邹德恕、刘思南、徐 晨、沈光地 2007 物理学报56 2905]

    [17]
    [18]

    Han J,Li J J,Deng J,Xing Y H,Yu X D,Lin W Z,Liu Y,Shen G D 2008 J. Optoelectron. Laser 19 456 (in Chinese) [韩 军、李建军、邓 军、邢燕辉、于晓东、林委之、刘 莹、沈光地 2008 光电子

    [19]
    [20]

    Yu X D, Han J, Li J J, Deng J, Lin W Z, Da X L, Chen Y X, Shen G D 2007 Chin. J. Semicond. 28 100 (in Chinese) [于晓东、韩 军、李建军、邓 军、林委之、达小丽、陈依新、沈光地 2007 半导体学报28 100]

    [21]
    [22]

    Zhang K, Zhu F C, Huan H A, Weea T S 2000 Thin Solid Films 376 255

    [23]
    [24]

    Zhu Y X 2007 Ph. D. Dissertation (Beijing: Beijing University of Technology) p89(in Chinese) [朱彦旭 2007 博士学位论文(北京:北京工业大学) 第89页]

    [25]
    [26]
    [27]

    Robert F P 2004 Semiconductor Device Fundamentals (Beijing: Publishing House of Electronics Industry) p262 (in Chinese)[罗伯特 F P2004 半导体器件基础(中译本)(北京:电子工业出版社) 第262页]

    [28]

    Lee C C 2004 IEEE Photon. Technol. Lett. 16 1706

    [29]
  • [1] 郭春生, 丁嫣, 姜舶洋, 廖之恒, 苏雅, 冯士维. 高效在线测量加速实验中双极晶体管结温方法的研究. 物理学报, 2017, 66(22): 224703. doi: 10.7498/aps.66.224703
    [2] 弓志娜, 云峰, 丁文, 张烨, 郭茂峰, 刘硕, 黄亚平, 刘浩, 王帅, 冯仑刚, 王江腾. 光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率的研究. 物理学报, 2015, 64(1): 018501. doi: 10.7498/aps.64.018501
    [3] 陈湛旭, 万巍, 何影记, 陈耿炎, 陈泳竹. 利用单层密排的纳米球提高发光二极管的出光效率. 物理学报, 2015, 64(14): 148502. doi: 10.7498/aps.64.148502
    [4] 招瑜, 魏爱香, 刘俊. 利用温变电容特性测量发光二极管结温的研究. 物理学报, 2015, 64(11): 118501. doi: 10.7498/aps.64.118501
    [5] 陈健, 李海华, 王庆康, 李小丽. 基于正方和六角排列结构光子晶体对发光二极管出光效率的研究. 物理学报, 2009, 58(9): 6216-6221. doi: 10.7498/aps.58.6216
    [6] 许兴胜, 孙增辉, 杜 伟, 鲁 琳, 陈弘达, 熊志刚, 金爱子, 张道中. 半导体量子阱材料微加工光子晶体的光学特性. 物理学报, 2006, 55(3): 1248-1252. doi: 10.7498/aps.55.1248
    [7] 张俊兵, 曾祥华, 林岳明, 柏 林. AlGaInP LED电极形状的优化. 物理学报, 2008, 57(9): 5881-5886. doi: 10.7498/aps.57.5881
    [8] 常晓阳, 尧舜, 张奇灵, 张杨, 吴波, 占荣, 杨翠柏, 王智勇. 基于分布式布拉格反射器结构的空间三结砷化镓太阳能电池抗辐照研究. 物理学报, 2016, 65(10): 108801. doi: 10.7498/aps.65.108801
    [9] 路飞平, 李建丰, 孙硕. 功能层厚度对叠层有机电致发光器件出光性能影响的数值研究. 物理学报, 2013, 62(24): 247201. doi: 10.7498/aps.62.247201
    [10] 郭春生, 王琳, 翟玉卫, 李睿, 冯士维, 朱慧. 瞬态大电流测量结温中校温曲线弯曲现象的研究. 物理学报, 2015, 64(18): 184704. doi: 10.7498/aps.64.184704
    [11] 李志成, 刘斌, 张荣, 张曌, 陶涛, 谢自力, 陈鹏, 江若琏, 郑有炓, 姬小利. 紫外波段SiO2/Si3N4介质膜分布式布拉格反射镜的制备与研究. 物理学报, 2012, 61(8): 087802. doi: 10.7498/aps.61.087802
    [12] 邵惠国, 赵 霁, 吴佳文, 周建英. 有限宽度布拉格原子层中光子囚禁与移动孤子的研究. 物理学报, 2005, 54(3): 1420-1425. doi: 10.7498/aps.54.1420
    [13] 胡飞, 段玲, 丁建文. 锯齿型石墨纳米带叠层复合结的电子输运. 物理学报, 2012, 61(7): 077201. doi: 10.7498/aps.61.077201
    [14] 李华星, 林机. 布拉格光栅中微扰光声孤子. 物理学报, 2011, 60(12): 124201. doi: 10.7498/aps.60.124201
    [15] 陈文杰, 江俊峰, 刘琨, 王双, 马喆, 张晚琛, 刘铁根. 基于相干光时域反射型的光纤分布式声增敏传感研究. 物理学报, 2017, 66(7): 070706. doi: 10.7498/aps.66.070706
    [16] 彭子龙, 韩秀峰, 赵素芬, 魏红祥, 杜关祥, 詹文山. 磁随机存储器中垂直电流驱动的磁性隧道结自由层的磁化翻转. 物理学报, 2006, 55(2): 860-864. doi: 10.7498/aps.55.860
    [17] 胡泽华, 尹延朋, 叶涛. 铍反射层临界基准实验分析. 物理学报, 2016, 65(21): 212801. doi: 10.7498/aps.65.212801
    [18] 彭景翠, 李宏建, 瞿述, 赵楚军, 罗小华, 许雪梅. 有机层界面对双层有机发光二极管复合效率的影响. 物理学报, 2004, 53(1): 286-290. doi: 10.7498/aps.53.286
    [19] 杨冰洋, 何大伟, 王永生. Bathocuproine/Ag复合电极对于聚合物光伏器件效率和稳定性的影响. 物理学报, 2015, 64(10): 108801. doi: 10.7498/aps.64.108801
    [20] 李亚君. 积分球出光窗上照度分布均匀性的研究. 物理学报, 1980, 29(3): 296-304. doi: 10.7498/aps.29.296
  • 引用本文:
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  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-07
  • 修回日期:  2011-01-08
  • 刊出日期:  2011-04-05

AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系

  • 1. 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京 100124
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A121)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902)资助的课题.

摘要: 目前,AlGaInP大功率发光二极管(LED)存在的主要问题是大电流工作时发热严重,主要是由于电流扩展不均匀、出光面电极对光子的阻挡和吸收以及器件材料与空气折射率之间的差距引起的全反射现象,这些因素造成大功率LED出光受到限制、发光效率低、亮度不高.提出了一种复合电流扩展层和复合分布式布拉格反射层(DBR)的新型结构LED,使得注入电流在有源区充分地扩散,同时提高了常规单DBR对光子的反射率.结果显示,这种新型结构LED比常规结构LED的性能得到了很大的提升,350 mA注入电流下两者的输出光功率分别为4

English Abstract

参考文献 (29)

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