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F原子与SiC(100)表面相互作用的分子动力学模拟

吕晓丹 赵成利 宁建平 秦尤敏 贺平逆 苟富均

F原子与SiC(100)表面相互作用的分子动力学模拟

吕晓丹, 赵成利, 宁建平, 秦尤敏, 贺平逆, 苟富均
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-08-17
  • 修回日期:  2010-12-26
  • 刊出日期:  2011-09-15

F原子与SiC(100)表面相互作用的分子动力学模拟

  • 1. (1)贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳 550025; (2)贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳 550025;贵州大学理学院,贵阳 550025; (3)四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室,成都 610064;荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰 2300
    基金项目: 

    贵州省优秀青年科技人才培养计划(批准号:700968101)和国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(批准号:2009GB104006)资助的课题.

摘要: 本文采用分子动力学模拟方法研究了F原子(能量在0.5—15 eV之间)与表面温度为300 K的SiC(100)表面的相互作用过程. 考察了不同能量下稳定含F反应层的形成过程和沉积、刻蚀过程的关系以及稳定含F反应层对刻蚀的影响. 揭示了低能F原子刻蚀SiC的微观动力学过程. 模拟结果表明伴随着入射F原子在表面的沉积量达到饱和,SiC表面将形成一个稳定的含F反应层. 在入射能量小于6 eV时,反应层主要成分为SiF3,最表层为Si-F层. 入射能量大于6 eV时,反应层主要成分为SiF.

English Abstract

参考文献 (21)

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