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不同荷电态替位缺陷Sp对磷酸二氢钾激光损伤的影响

王坤鹏 闫石

不同荷电态替位缺陷Sp对磷酸二氢钾激光损伤的影响

王坤鹏, 闫石
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  • 采用第一性原理方法计算了KH2PO4(KDP)晶体中各种荷电态的硫取代磷替位缺陷(SP)的几何驰豫构型及电子结构.讨论了该缺陷形成后电荷密度的重新分布、相应的电子态密度、能带结构等性质.主要结果为:虽然中性态、±1以及+2荷电态的Sp替位缺陷并没有在带隙中形成占据态,但它们削弱了SO4基团与周围原子的结合力,从而形成相对孤立的SO4基团,相对于无缺陷晶体而言,这种局域松散的结
    • 基金项目: 教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号: NCET-08-0722)资助的课题.
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    Wang K P, Fang C S, Zhang J X, Liu C S, Boughton R I, Wang S L, Zhao X 2005 Phys. Rev. B 72 184105

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    Stumpf R, Gonze X, Scheffler M 1990 Fritz-Haber-Institut Research Report 1990

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    Payne M C, Teter M P, Allan D C, Arias T A, Joannopoulos J D 1992 Rev. Mod. Phys. 64 1045

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    Perdew J P, Burke K, Ernzerhof M 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3865

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    Zhang J Q, Wang S L, Fang C S, Sun X, Gu Q T, Wang K P, 2005. Function Materials 36 1505 (in Chinese) [张建芹、王圣来 2005 功能材料 36 1505]

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出版历程
  • 收稿日期:  2009-12-23
  • 修回日期:  2010-12-06
  • 刊出日期:  2011-09-15

不同荷电态替位缺陷Sp对磷酸二氢钾激光损伤的影响

  • 1. 国家材料服役安全科学中心(筹),北京科技大学,北京 100083
    基金项目: 

    教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号: NCET-08-0722)资助的课题.

摘要: 采用第一性原理方法计算了KH2PO4(KDP)晶体中各种荷电态的硫取代磷替位缺陷(SP)的几何驰豫构型及电子结构.讨论了该缺陷形成后电荷密度的重新分布、相应的电子态密度、能带结构等性质.主要结果为:虽然中性态、±1以及+2荷电态的Sp替位缺陷并没有在带隙中形成占据态,但它们削弱了SO4基团与周围原子的结合力,从而形成相对孤立的SO4基团,相对于无缺陷晶体而言,这种局域松散的结

English Abstract

参考文献 (11)

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