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张应力对准同形相界Pb(Zr,Ti)O3薄膜相变和铁电性能影响

闻心怡 王耘波 周文利 高俊雄 于军

张应力对准同形相界Pb(Zr,Ti)O3薄膜相变和铁电性能影响

闻心怡, 王耘波, 周文利, 高俊雄, 于军
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  • 采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以BaPbO3(BPO)为缓冲层的Pb(Zr0.52,Ti0.48)Nb0.04O3 (Nb掺杂PZT, PZTN)薄膜.通过调整BPO层厚度,为该PZTN薄膜引入了不同的张应力.当BPO层厚度分别为68 nm和135 nm时,PZTN薄膜呈现随机取向,采用2θ-s
    • 基金项目: 国家自然科学基金重大研究计划(批准号:90407023)和国家自然科学基金面上项目(批准号:60971008)资助的课题.
    [1]

    Zhang Q, Whatmore R W 2004 Mat. Sci. Eng. B-Solid 109 136

    [2]

    Aggarwal S, Jenkins I G, Nagaraj B, Kerr C J, Canedy C, Ramesh R, Velasquez G, Boyer L, Evans J T 1999 Appl. Phys. Lett. 75 1787

    [3]

    Jaffe B, Cook W R, Jaffe H 1971 Piezoelectric Ceramics (London: Academic Press)

    [4]

    Gavrilyachenko V, Spinko R, Martynenko M, Fesenko E 1970 Sov. Phys. Solid. State 12 1203

    [5]

    Yan L, Li J, Cao H, Viehland D 2006 Appl. Phys. Lett. 89 262905

    [6]

    Noheda B, Cox D E, Shirane G 1999 Appl. Phys. Lett. 74 2059

    [7]

    Singh A K, Pandeya D, Yoon S, Baik S, Shin N 2007 Appl. Phys. Lett. 91 192904

    [8]

    Zhou Z D, Zhang C Z, Zhang Y 2010 Acta Phys. Sin. 59 6620 (in Chinese)[周志东、张春祖、张 颖 2010 物理学报 59 6620]

    [9]

    Lu Y G, Lin L X, Gong Y Q, Zheng X J, Liu Z Z 2010 Acta Phys. Sin. 59 8167 (in Chinese)[吕业刚、梁晓琳、龚跃球、郑学军、刘志壮 2010 物理学报 59 8167]

    [10]

    Pertsev N A, Kukhar V G, Kohlstedt H, Waser R 2003 Phys. Rev. B 67 054107

    [11]

    Pertsev N A, Zembilgotov A G, Tagantsev A K 1998 Phys. Rev. Lett. 80 1988

    [12]

    Huang N, Liu Z, WuZ Q, Wu J, Duan W 2003 Phy. Rev. Lett. 91 067602

    [13]

    Ahart M, Somayazulu M, Cohen R E, Ganesh P, Dera P, Mao H K, Hemley R J, Ren Y, Liermann P, Wu Z 2008 Nature 545 545

    [14]

    Wasa K, Haber M, Adachi H 2005 Thin Film Materials Technology: Sputtering of Compound Materials (New York: William Andrew)

    [15]

    Ranjan R R, Mishra S K, Pandey D 2002 J. Appl. Phys. 92 3266

    [16]

    Williamson G K, Hall W H 1953 Acta Metallurgica 1 22

    [17]

    Kakegawa K, Mohri J, Takahashi T, Yamamura H, Shirasaki S 1977 Solid State Commun. 24 769

    [18]

    Xu K W, Gao R S, Yu L G, He J W 1994 Acta Phys. Sin. 43 1295 (in Chinese)[徐可为、高润生、于利根、何家文 1994 物理学报 43 1295]

    [19]

    Kong D J, Zhang Y K, Chen Z G, Lu J Z, Feng A X, Ren X D, Ge T 2007 Acta Phys. Sin. 56 4056 (in Chinese)[孔德军、张永康、陈志刚、鲁金忠、冯爱新、任旭东、葛 涛 2007 物理学报 56 4056]

    [20]

    Zhou Y C, Yang Z Y, Zheng X J 2003 Surface and Coatings Technology 162 202

    [21]

    Thielsch R, Hassler W, Bruckner W 1996 Phys. Stat. Sol. A 156 199

    [22]

    Zheng X J, Zhou Y C, Li J 2003 J. Acta Mater 51 3985

    [23]

    Yu L, Sun H, Xu K, He J 1994 Journal of Applied Crystallography 27 863

    [24]

    Lee J W, Park C S, Kim M, Kim H E 2007 Journal of the American Ceramic Society 90 1077

    [25]

    Lee J W, Park G T, Park C S, Kim H E 2006 Appl. Phys. Lett. 88 072908

    [26]

    Liu W G, Kong L B, Zhang L Y, Yao X 1996 Acta Phys. Sin. 45 318 (in Chinese)[刘卫国、孔令兵、张良莹、姚 熹 1994 物理学报 45 318]

    [27]

    Araújo E B, Lima E C, Guerra J D S, Santos A O d, Cardoso L P, Kleinke M U 2008 J. Phys.: Condens. Matter 20 415203

    [28]

    PANalytical B V 2003 X' Per HighScore Plus Help System (Netherlands: PANalytical B. V.)

    [29]

    Yogaraksa T, Hikama M 2004 Irzaman Ceramics International 30 1483

    [30]

    Edwards J W, Speiser R, Johnston H L 1951 J. Appl. Phys. 22 424

    [31]

    Gross R, Kwok W K, Maroni V A, Moshchalkov V V, Obradors X, Tajima S, Tohyama T, Wen H H 1992 Physica C: Superconductivity and its Applications 202 379

    [32]

    Yan L, Li J, Cao H, Viehland D 2006 Appl. Phys. Lett. 89 262905

  • [1]

    Zhang Q, Whatmore R W 2004 Mat. Sci. Eng. B-Solid 109 136

    [2]

    Aggarwal S, Jenkins I G, Nagaraj B, Kerr C J, Canedy C, Ramesh R, Velasquez G, Boyer L, Evans J T 1999 Appl. Phys. Lett. 75 1787

    [3]

    Jaffe B, Cook W R, Jaffe H 1971 Piezoelectric Ceramics (London: Academic Press)

    [4]

    Gavrilyachenko V, Spinko R, Martynenko M, Fesenko E 1970 Sov. Phys. Solid. State 12 1203

    [5]

    Yan L, Li J, Cao H, Viehland D 2006 Appl. Phys. Lett. 89 262905

    [6]

    Noheda B, Cox D E, Shirane G 1999 Appl. Phys. Lett. 74 2059

    [7]

    Singh A K, Pandeya D, Yoon S, Baik S, Shin N 2007 Appl. Phys. Lett. 91 192904

    [8]

    Zhou Z D, Zhang C Z, Zhang Y 2010 Acta Phys. Sin. 59 6620 (in Chinese)[周志东、张春祖、张 颖 2010 物理学报 59 6620]

    [9]

    Lu Y G, Lin L X, Gong Y Q, Zheng X J, Liu Z Z 2010 Acta Phys. Sin. 59 8167 (in Chinese)[吕业刚、梁晓琳、龚跃球、郑学军、刘志壮 2010 物理学报 59 8167]

    [10]

    Pertsev N A, Kukhar V G, Kohlstedt H, Waser R 2003 Phys. Rev. B 67 054107

    [11]

    Pertsev N A, Zembilgotov A G, Tagantsev A K 1998 Phys. Rev. Lett. 80 1988

    [12]

    Huang N, Liu Z, WuZ Q, Wu J, Duan W 2003 Phy. Rev. Lett. 91 067602

    [13]

    Ahart M, Somayazulu M, Cohen R E, Ganesh P, Dera P, Mao H K, Hemley R J, Ren Y, Liermann P, Wu Z 2008 Nature 545 545

    [14]

    Wasa K, Haber M, Adachi H 2005 Thin Film Materials Technology: Sputtering of Compound Materials (New York: William Andrew)

    [15]

    Ranjan R R, Mishra S K, Pandey D 2002 J. Appl. Phys. 92 3266

    [16]

    Williamson G K, Hall W H 1953 Acta Metallurgica 1 22

    [17]

    Kakegawa K, Mohri J, Takahashi T, Yamamura H, Shirasaki S 1977 Solid State Commun. 24 769

    [18]

    Xu K W, Gao R S, Yu L G, He J W 1994 Acta Phys. Sin. 43 1295 (in Chinese)[徐可为、高润生、于利根、何家文 1994 物理学报 43 1295]

    [19]

    Kong D J, Zhang Y K, Chen Z G, Lu J Z, Feng A X, Ren X D, Ge T 2007 Acta Phys. Sin. 56 4056 (in Chinese)[孔德军、张永康、陈志刚、鲁金忠、冯爱新、任旭东、葛 涛 2007 物理学报 56 4056]

    [20]

    Zhou Y C, Yang Z Y, Zheng X J 2003 Surface and Coatings Technology 162 202

    [21]

    Thielsch R, Hassler W, Bruckner W 1996 Phys. Stat. Sol. A 156 199

    [22]

    Zheng X J, Zhou Y C, Li J 2003 J. Acta Mater 51 3985

    [23]

    Yu L, Sun H, Xu K, He J 1994 Journal of Applied Crystallography 27 863

    [24]

    Lee J W, Park C S, Kim M, Kim H E 2007 Journal of the American Ceramic Society 90 1077

    [25]

    Lee J W, Park G T, Park C S, Kim H E 2006 Appl. Phys. Lett. 88 072908

    [26]

    Liu W G, Kong L B, Zhang L Y, Yao X 1996 Acta Phys. Sin. 45 318 (in Chinese)[刘卫国、孔令兵、张良莹、姚 熹 1994 物理学报 45 318]

    [27]

    Araújo E B, Lima E C, Guerra J D S, Santos A O d, Cardoso L P, Kleinke M U 2008 J. Phys.: Condens. Matter 20 415203

    [28]

    PANalytical B V 2003 X' Per HighScore Plus Help System (Netherlands: PANalytical B. V.)

    [29]

    Yogaraksa T, Hikama M 2004 Irzaman Ceramics International 30 1483

    [30]

    Edwards J W, Speiser R, Johnston H L 1951 J. Appl. Phys. 22 424

    [31]

    Gross R, Kwok W K, Maroni V A, Moshchalkov V V, Obradors X, Tajima S, Tohyama T, Wen H H 1992 Physica C: Superconductivity and its Applications 202 379

    [32]

    Yan L, Li J, Cao H, Viehland D 2006 Appl. Phys. Lett. 89 262905

  • [1] 张 茹, 王 淼, 张 宁, Srinivasan G.. (Ni0.8Zn0.2Fe2O4)epoxy-PZT双层膜中的磁电效应. 物理学报, 2006, 55(5): 2548-2552. doi: 10.7498/aps.55.2548
    [2] 曹鸿霞, 张 宁. 磁电双层膜层间耦合的弹性力学研究. 物理学报, 2008, 57(5): 3237-3243. doi: 10.7498/aps.57.3237
    [3] 印晓明, 张 宁. 单磁场驱动的Tb1-xDyxFe2-y/Pb(Zr,Ti)O3三层膜磁电效应. 物理学报, 2008, 57(9): 5951-5955. doi: 10.7498/aps.57.5951
    [4] 陈剑辉, 刘保亭, 赵庆勋, 崔永亮, 赵冬月, 郭哲. 含铜铁电电容器SrRuO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/SrRuO3/Ni-Al/Cu/Ni-Al/SiO2/Si异质结的研究. 物理学报, 2011, 60(11): 117701. doi: 10.7498/aps.60.117701
    [5] 钟志成, 张端明, 严文生, 杨凤霞, 郑克玉, 李智华. PZT四方相区介电常数εr与晶格畸变关系的研究. 物理学报, 2004, 53(5): 1316-1320. doi: 10.7498/aps.53.1316
    [6] 邵庆生, 刘士余, 赵辉, 余大书, 曹茂盛. 三方和四方相PbZr0.5Ti0.5O3 的结构稳定性和电子结构的第一性原理研究. 物理学报, 2012, 61(4): 047103. doi: 10.7498/aps.61.047103
    [7] 曾华荣, 李国荣, 殷庆瑞, 唐新桂. PZT铁电薄膜纳米尺度畴结构的扫描力显微术研究. 物理学报, 2003, 52(7): 1783-1787. doi: 10.7498/aps.52.1783
    [8] 卢喜瑞, 崔春龙, 陈梦君, 杨岩凯, 张东. 锆英石的抗γ射线辐照能力和Rietveld结构精修. 物理学报, 2011, 60(7): 078901. doi: 10.7498/aps.60.078901
    [9] 文玉梅, 王东, 李平, 陈蕾, 吴治峄. FeCuNbSiB对FeNi/PZT复合结构磁电效应的影响. 物理学报, 2011, 60(9): 097506. doi: 10.7498/aps.60.097506
    [10] 张松然, 俞国林. HgCdTe薄膜的输运特性及其应力调控研究. 物理学报, , (): . doi: 10.7498/aps.69.20191330
    [11] 凌进中, 黄元申, 王中飞, 王琦, 张大伟, 庄松林. 可调谐型金属线栅偏振器的特性研究 . 物理学报, 2013, 62(14): 144214. doi: 10.7498/aps.62.144214
    [12] 杨伟伟, 文玉梅, 李 平, 卞雷祥. GMM/弹性板/PZT层状复合结构的纵振磁电响应. 物理学报, 2008, 57(7): 4545-4551. doi: 10.7498/aps.57.4545
    [13] 万 红, 刘希从, 谢立强, 吴学忠. TbDyFe/PZT层状复合材料的磁电效应研究. 物理学报, 2005, 54(8): 3872-3877. doi: 10.7498/aps.54.3872
    [14] 张福平, 杜金梅, 刘雨生, 刘艺, 刘高旻, 贺红亮. PZT 95/5陶瓷电致失效机理研究. 物理学报, 2011, 60(5): 057701. doi: 10.7498/aps.60.057701
    [15] 唐新桂, 曾华荣, 余寒峰, 初瑞清, 李国荣, 殷庆瑞. PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性. 物理学报, 2005, 54(3): 1437-1441. doi: 10.7498/aps.54.1437
    [16] 杜金梅, 张 毅, 张福平, 贺红亮, 王海晏. 冲击加载下PZT 95/5铁电陶瓷的脉冲大电流输出特性. 物理学报, 2006, 55(5): 2584-2589. doi: 10.7498/aps.55.2584
    [17] 王志红, 曾慧中, 王龙海, 于 军, 刘 锋, 郑朝丹, 李 佳, 王耘波, 高峻雄, 赵素玲. PT/PZT/PT铁电薄膜的铁电畴和畴壁. 物理学报, 2006, 55(5): 2590-2595. doi: 10.7498/aps.55.2590
    [18] 冯玉军, 杜金梅, 谷 岩, 蒋冬冬. 冲击波加载下PZT 95/5铁电陶瓷的电阻率研究. 物理学报, 2008, 57(1): 566-570. doi: 10.7498/aps.57.566
    [19] 张维平, 李从周. PZT-8型铁电压电陶瓷的低频介电特性. 物理学报, 1982, 31(2): 247-251. doi: 10.7498/aps.31.247
    [20] 施展, 陈来柱, 佟永帅, 郑智滨, 杨水源, 王翠萍, 刘兴军. Terfenol-D/PZT磁电复合材料的磁电相位移动研究. 物理学报, 2013, 62(1): 017501. doi: 10.7498/aps.62.017501
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-03-30
  • 修回日期:  2011-04-28
  • 刊出日期:  2011-09-15

张应力对准同形相界Pb(Zr,Ti)O3薄膜相变和铁电性能影响

  • 1. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉 430074
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大研究计划(批准号:90407023)和国家自然科学基金面上项目(批准号:60971008)资助的课题.

摘要: 采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以BaPbO3(BPO)为缓冲层的Pb(Zr0.52,Ti0.48)Nb0.04O3 (Nb掺杂PZT, PZTN)薄膜.通过调整BPO层厚度,为该PZTN薄膜引入了不同的张应力.当BPO层厚度分别为68 nm和135 nm时,PZTN薄膜呈现随机取向,采用2θ-s

English Abstract

参考文献 (32)

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