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超长(n,n)型碳纳米管的密度泛函理论研究

王艳丽 苏克和 王欣 刘艳

超长(n,n)型碳纳米管的密度泛函理论研究

王艳丽, 苏克和, 王欣, 刘艳
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  • 用密度泛函B3LYP/3-21G(d)方法,并利用周期边界条件,研究了n=2—20不同管径的超长(n, n)型单壁碳纳米管的结构、能量、能带结构和能隙.结果表明,管径和能量(或生成焓)都随n有很好的变化规律,并可拟合成很好的解析函数.当n为2和3时,碳纳米管的能隙分别为1.836eV和0.228eV,呈半导体特征,且具有间接带隙;当n=4—20时,能隙介于0.027 eV和0.079 eV之间,呈较强的金属性,且具有直接带
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50572089)资助的课题.
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    Iijima S 1991 Nature 354 56

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    Qin L C, Zhao X L, Hirahara K, Miyamoto Y, Ando Y,lijima S 2000 Nature 408 50

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-01-24
  • 修回日期:  2011-04-06
  • 刊出日期:  2011-09-15

超长(n,n)型碳纳米管的密度泛函理论研究

  • 1. 西北工业大学空间应用物理与化学教育部重点实验室,理学院应用化学系,西安 710072
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50572089)资助的课题.

摘要: 用密度泛函B3LYP/3-21G(d)方法,并利用周期边界条件,研究了n=2—20不同管径的超长(n, n)型单壁碳纳米管的结构、能量、能带结构和能隙.结果表明,管径和能量(或生成焓)都随n有很好的变化规律,并可拟合成很好的解析函数.当n为2和3时,碳纳米管的能隙分别为1.836eV和0.228eV,呈半导体特征,且具有间接带隙;当n=4—20时,能隙介于0.027 eV和0.079 eV之间,呈较强的金属性,且具有直接带

English Abstract

参考文献 (40)

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