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Bi-Sb-Te基热电薄膜温差电池离子束溅射制备与表征

范平 蔡兆坤 郑壮豪 张东平 蔡兴民 陈天宝

Bi-Sb-Te基热电薄膜温差电池离子束溅射制备与表征

范平, 蔡兆坤, 郑壮豪, 张东平, 蔡兴民, 陈天宝
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  • 本文采用离子束溅射Bi/Te和Sb/Te二元复合靶,直接制备n型Bi2Te3热电薄膜和p型Sb2Te3热电薄膜.在退火时间同为1 h的条件下,对所制备的Bi2Te3薄膜和Sb2Te3薄膜进行不同温度的退火处理,并对其热电性能进行表征.结果表明,在退火温度为150 ℃时,制备的n型Bi2Te3
    • 基金项目: 深圳市南山区高等院校、科研机构研发项目(批准号: 南科院2009035)和深圳大学应用技术开发项目(批准号: 201059)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-11-23
  • 修回日期:  2010-12-25
  • 刊出日期:  2011-09-15

Bi-Sb-Te基热电薄膜温差电池离子束溅射制备与表征

  • 1. 深圳大学物理科学与技术学院,薄膜物理与应用研究所,深圳市传感器技术重点实验室,深圳 518060
    基金项目: 

    深圳市南山区高等院校、科研机构研发项目(批准号: 南科院2009035)和深圳大学应用技术开发项目(批准号: 201059)资助的课题.

摘要: 本文采用离子束溅射Bi/Te和Sb/Te二元复合靶,直接制备n型Bi2Te3热电薄膜和p型Sb2Te3热电薄膜.在退火时间同为1 h的条件下,对所制备的Bi2Te3薄膜和Sb2Te3薄膜进行不同温度的退火处理,并对其热电性能进行表征.结果表明,在退火温度为150 ℃时,制备的n型Bi2Te3

English Abstract

参考文献 (18)

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