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超晶格SnO2掺Cr的电子结构和光学性质的研究

蒋雷 王培吉 张昌文 冯现徉 逯瑶 张国莲

超晶格SnO2掺Cr的电子结构和光学性质的研究

蒋雷, 王培吉, 张昌文, 冯现徉, 逯瑶, 张国莲
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  • 基于密度泛函理论的第一性原理,采用全势线性缀加平面波方法(FPLAPW)和广义梯度近似(GGA)来处理相关能,计算了Cr掺杂SnO2超晶格的电子态密度、能带结构、介电函数、吸收系数、反射率和折射率.研究表明由于Cr的掺入,超晶格SnO2在费米能级附近形成了新的电子占据态,出现了不连续的杂质能带,这是由Cr-3d态和O-2p,Sn-5s态电子所形成.介电谱在0—5.5 eV之间时出现了三个新的介电峰,在高能区介电谱主峰位置发生蓝移,峰值强度减小.吸收谱、反射谱和折
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60471042),山东省自然科学基金(批准号:ZR2010EL017)和济南大学博士基金(批准号:xbs1043)资助的课题.
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  • 引用本文:
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  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-11-25
  • 修回日期:  2010-12-29
  • 刊出日期:  2011-09-15

超晶格SnO2掺Cr的电子结构和光学性质的研究

  • 1. 济南大学物理学院,济南 250022
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60471042),山东省自然科学基金(批准号:ZR2010EL017)和济南大学博士基金(批准号:xbs1043)资助的课题.

摘要: 基于密度泛函理论的第一性原理,采用全势线性缀加平面波方法(FPLAPW)和广义梯度近似(GGA)来处理相关能,计算了Cr掺杂SnO2超晶格的电子态密度、能带结构、介电函数、吸收系数、反射率和折射率.研究表明由于Cr的掺入,超晶格SnO2在费米能级附近形成了新的电子占据态,出现了不连续的杂质能带,这是由Cr-3d态和O-2p,Sn-5s态电子所形成.介电谱在0—5.5 eV之间时出现了三个新的介电峰,在高能区介电谱主峰位置发生蓝移,峰值强度减小.吸收谱、反射谱和折

English Abstract

参考文献 (18)

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