搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

用热脱附谱研究氢在Si(100)清洁表面的吸附

金晓峰 丰意青 庄承群 王迅

用热脱附谱研究氢在Si(100)清洁表面的吸附

金晓峰, 丰意青, 庄承群, 王迅
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  2830
  • PDF下载量:  582
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1983-07-11
  • 刊出日期:  1984-03-05

用热脱附谱研究氢在Si(100)清洁表面的吸附

  • 1. 复旦大学现代物理研究所

摘要: 用超高真空中对样品进行闪烁加热的方法,测量了Si(100)清洁表面吸附氢以后的热脱附谱。得到在室温下暴露氢时,低暴露量下只有一个脱附峰A,暴露量增大后,出现第二个脱附峰B。升高温度暴露氢,如在230℃以上暴露,热脱附谱中不出现B峰;在530℃以上暴露,则A,B峰均不出现。在室温下吸附氢后再加热退火,温度超过350℃,则热脱附谱中B峰不再存在;在530℃退火,则A峰也消失。热脱附的这些规律,使我们相信A峰和B峰分别对应于Si(100)表面的单氢化相和双氢化相的脱附。测量了它们的脱附活化能分别为52.9kcal/mol和14.5kcal/mol。从级数图证实了A峰的脱附属于一级脱附,但其机理并不与一般的一级或二级脱附机理相同。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回