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用总能量密度泛函集团方法研究I/Si(111)及I/Ge(111)表面吸附

叶令 张开明

用总能量密度泛函集团方法研究I/Si(111)及I/Ge(111)表面吸附

叶令, 张开明
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-01-25
  • 刊出日期:  2005-03-20

用总能量密度泛函集团方法研究I/Si(111)及I/Ge(111)表面吸附

  • 1. 复旦大学物理系

摘要: 本文中用自洽总能量密度泛函集团方法研究了Ⅶ族的Ⅰ在Si(111)和Ge(111)表面的吸附。分别采用了两种集团模型来模拟顶位和三度位构型,用总能量极小原理确定了吸附的最佳构型和吸附能量,得到顶位比三度位吸附更为稳定的结果,与SEXAFS实验结果一致。本文还计算了Ⅶ族元素F,Cl,Br,I在Si(111)顶位吸附的状态密度,讨论了这系列DOS的变化情况,并与实验或其他理论结果进行了比较,最后还讨论了半经验EHT方法的适用性及限制。

English Abstract

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