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Si中S0/Se0,S0/Te0和Se0/Te0对的电子结构

顾一鸣 任尚元

Si中S0/Se0,S0/Te0和Se0/Te0对的电子结构

顾一鸣, 任尚元
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-04-14
  • 刊出日期:  2005-03-20

Si中S0/Se0,S0/Te0和Se0/Te0对的电子结构

  • 1. 中国科学技术大学物理系
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 利用紧束缚近似下的格林函数方法,讨论了Si中硫属元素混对杂质(即S0/Se0,S0/Te0和Se0/Te0)基态的电子结构。混对杂质在Si禁带中引入两个A1能级,其中成键性的A1能级位置在反键性的A1能级之上。数值计算得到的混对杂质能级与实验符合得相当好。理论分析表明,在Si中测到的那些未定的比最近邻混对杂质能级更浅的能级(S0/Se0(X1),S0/Te0(X1),Se0/Te0(X1)…)不是由非最近邻位型的混对杂质引入的。本文还指出了一个极性分子放入Si晶体中,两个不同原子间s波函数的转移方向与通常极性分子相反,并讨论其物理原因。

English Abstract

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