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掺杂的非晶态硅基合金薄膜的高温电子自旋共振研究

陈光华 张仿清

掺杂的非晶态硅基合金薄膜的高温电子自旋共振研究

陈光华, 张仿清
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-10-09
  • 刊出日期:  2005-07-06

掺杂的非晶态硅基合金薄膜的高温电子自旋共振研究

  • 1. 兰州大学物理系

摘要: 本文研究了掺杂(B和P)和未掺杂的a-Si1-xCx:H和a-Si1-xNx:H膜在高温下的电子自旋共振(ESR)特性。ESR的测量是在温度连续变化的过程中进行的。实验结果表明:掺B的a-Si1-xCx:H和a-Si1-xNx:H膜的ESR吸收谱,可以分解成两种性质不同的ESR吸收谱的叠加(g1≈2.005和g2≈2.010),g1是硅悬挂键(Si)的贡献,g2是价带尾态定域化空穴的贡献。随温度的上升,定域化空穴的密度比Si下降得更快。在温度不太高时,定域化空穴的密度远大于Si,但在温度较高时,Si的贡献是主要的。

English Abstract

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