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用低能电子衍射研究Si(111)7×7表面的原子结构

蓝田 徐飞岳

用低能电子衍射研究Si(111)7×7表面的原子结构

蓝田, 徐飞岳
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-11-01
  • 刊出日期:  2005-07-08

用低能电子衍射研究Si(111)7×7表面的原子结构

  • 1. 成都电讯工程学院微电子技术与电子材料系

摘要: 本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的Si(111)7×7表面的不等边三角形聚合与添加原子模型。发现:第一层空间距dk=0.95±0.02?(膨胀21.3%±0.02?),第二层空间距dl=0.83±0.02?(膨胀5.9%±0.02?),第三层空间距dl=0.69±0.05?(收缩10.9%±0.08?)和第四层空间距db=2.38±0.08?(膨胀3.8%±0.08?)。

English Abstract

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