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a-Si:H结的横向光生伏特效应

彭少麒 苏子敏 刘景希

a-Si:H结的横向光生伏特效应

彭少麒, 苏子敏, 刘景希
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-09-12
  • 刊出日期:  2005-07-08

a-Si:H结的横向光生伏特效应

  • 1. 中山大学物理系
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 本文通过理论分析研究了a-Si:H结中横向光生伏特效应的定态与瞬态特性。所得结果表明理论与实验非常符合。值得注意的是,按理论关系应用常规不掺杂a-Si:H特性值估算的两个重要参数(样品中的薄层电阻1/σs和传输时间Tm)均比由实验得出的值大得多。基于合理的分析。我们认为在a-Si:H层中平行于结输运的电子可能具有异乎寻常高的载流子迁移率。

English Abstract

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