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电子衍射条件对Si(111)外延时反射式高能电子衍射强度振荡的影响

陈可明 周铁城 樊永良 盛篪 俞鸣人

电子衍射条件对Si(111)外延时反射式高能电子衍射强度振荡的影响

陈可明, 周铁城, 樊永良, 盛篪, 俞鸣人
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-02-19
  • 刊出日期:  2005-03-20

电子衍射条件对Si(111)外延时反射式高能电子衍射强度振荡的影响

  • 1. 复旦大学表面物理实验室,上海,200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题

摘要: 本文研究了不同电子衍射条件对Si(111)外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的影响,在保持生长条件不变的情况下,沿[112]方位观测时,不同入射角下其强度振荡的相位和初始瞬态响应变化很大,甚至会发生180°相位变化,而在[011]方位观测时,其相位的变化不明显,结合Si(111)面的RHEED强度摇摆曲线测量结果,表明这种与电子衍射条件有关的振荡特性变化,实际上反映了由电子多重散射机理引起的RHEED强度振荡两种情形,对RHEED强度的初始瞬态响应机理也作了探讨。

English Abstract

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