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150?快速热氮化SiO2膜的击穿特性

陈蒲生 刘百勇 郑耀宗 刘志宏

150?快速热氮化SiO2膜的击穿特性

陈蒲生, 刘百勇, 郑耀宗, 刘志宏
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-03-19
  • 刊出日期:  2005-06-28

150?快速热氮化SiO2膜的击穿特性

  • 1. (1)华南理工大学物理系,广州,510641; (2)香港城市理工学院电子工程系; (3)香港大学电机与电子工程系

摘要: 对具有器件质量的150?厚SiO2膜经传统的长时间热氮化和高温快速热氮化后,研究了其击穿特性及其在高场强下的耐久力。研究结果表明,氮化后击穿场强的分布变窄,对栅电极面积的依赖性减弱,最大击穿场强略微下降。热氮化对高电场下SiO2/Si界面稳定性和决定于时间的介质击穿均有改善。这种改善既取决于所加栅电压的极性,又强烈依赖于氮化工艺条件。根据电流传输机构,本文提出一种考虑了电荷积累、陷阱密度及其重心位置的击穿模型。

English Abstract

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