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分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究

周洁 卢励吾 韩志勇 梁基本

分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究

周洁, 卢励吾, 韩志勇, 梁基本
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-12-28
  • 刊出日期:  2005-06-28

分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究

  • 1. (1)半导体超晶格国家实验室中国科学院半导体研究所,北京,100083; (2)中国科学院半导体研究所,北京,100083

摘要: 利用样品Au-GaAs/p-Si的肖特基势垒二极管特性和深能级瞬态谱(DCTS),研究Si衬底上分子束外延生长的GaAs异质结的电学特性。I-V特性表明样品有大的漏电流存在,而快速热退火处理则能使样品I-V特性得以改善,并接近半绝缘GaAs(S.I.GaAs)上生长的Au-GaAs/S.I.GaAs样品的特性,它的来源不是热电子发射或产生-复合电流所引起,而可归结于缺陷参与的隧穿机制,它可通过快速热退火处理得以减小。DCTS谱表明在样品中可观察到Ec-0.41eV和Ec-0.57eV两个电子陷阱,前者可能

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