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用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面缺陷

王志超 滕敏康 刘吟春

用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面缺陷

王志超, 滕敏康, 刘吟春
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-01-17
  • 刊出日期:  1991-06-05

用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面缺陷

  • 1. 南京大学物理系,南京,210008

摘要: 本文报道应用正电子湮没技术(PAT)对a-Si:H/a-SiNx:H(x≈0.5)多层膜系列样品所进行的研究。发现,由于a-Si:H和a-SiNx:H在结构方面的失配,导致在a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面区,产生大量缺陷。在a-Si:H子层中,紧靠界面的是应变层,厚度约为8?;在应变层之后是过渡层,厚度约为50?。在过渡层中存在大量缺陷,这就是所谓界面缺陷。

English Abstract

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