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应力对(GaP)1/(InP)1(111)超晶格体内和表面电子结构的影响

章立源 王怀玉 王恩哥

应力对(GaP)1/(InP)1(111)超晶格体内和表面电子结构的影响

章立源, 王怀玉, 王恩哥
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-05-22
  • 刊出日期:  2005-07-01

应力对(GaP)1/(InP)1(111)超晶格体内和表面电子结构的影响

  • 1. (1)北京大学物理系,北京,100871; (2)中国科学物理研究所,北京;中国科学院国际材料物理中心,沈阳

摘要: 考虑到应力对超薄层(GaP)1/(InP)1(111)结构中Ga-P和In-P键长的作用为均匀分布的情况,本文提出在紧束缚近似下,将应力的影响直接反映到Harrison的交迭积分项中,并利用Recursion方法全面计算了由Keating模型确定的稳定(GaP)1/(InP)1(111)超晶格体内和表面的电子结构,结果表明,这种材料的带隙为1.88eV,它比体材料GaP(2.91eV)和InP(1.48eV)的平均值小

English Abstract

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