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Cr,Mg:GSGG 晶体生长、光谱性能及Cr4+形成机理的研究

姜大朋 苏良碧 徐军 唐慧丽 吴锋 郑丽和 王庆国 郭鑫 邹宇琦

Cr,Mg:GSGG 晶体生长、光谱性能及Cr4+形成机理的研究

姜大朋, 苏良碧, 徐军, 唐慧丽, 吴锋, 郑丽和, 王庆国, 郭鑫, 邹宇琦
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-05-07
  • 修回日期:  2011-05-30
  • 刊出日期:  2012-03-15

Cr,Mg:GSGG 晶体生长、光谱性能及Cr4+形成机理的研究

  • 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 201800;
  • 2. 中国科学院研究生院, 北京 100049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60938001, 60908030) 资助的课题.

摘要: 采用传统提拉法单晶生长技术成功生长出了Cr,Mg:GSGG晶体, 并对生长出的晶体样品进行了氧化气氛和还原气氛退火处理. 通过对比分析退火处理前后样品吸收光谱的变化, 推断出晶体中四面体配位Cr4+离子的形成机理为: 晶体生长和高温氧化气氛退火的过程中, 四价Cr4+离子首先在八面体格位上形成, 然后在热激发作用下与邻近四面体格位上的Ga3+离子发生置换反应, 从而形成一定浓度的四面体配位Cr4+离子. 实验结果还表明, 随着电荷补偿离子Mg2+离子浓度的增大, 更有利于提高四面体配位Cr4+离子的浓度.

English Abstract

参考文献 (18)

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