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GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响

杨永富 富容国 张益军 王晓晖 邹继军

GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响

杨永富, 富容国, 张益军, 王晓晖, 邹继军
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  • 针对GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响问题,应用玻尓兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法计算了GaN光电阴极的电子逸出几率,发现电子逸出几率主要由I势垒决定,II势垒对电子逸出几率的影响有限.利用自行研制的GaN光电阴极激活评估实验系统,测试了透射式GaN光电阴极样品的激活光电流.实验发现,Cs单独激活引起电子逸出几率的显著增加,而Cs单独充分激活后的Cs/O交替激活对电子逸出几率的影响有限.理论计算结果与激活光电流测试结果一致,其原因是Cs单独激活对降低真空能级的贡献远大于Cs/O共同激活.
      通信作者: 富容国, frguo@mail.njust.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60871012)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-03
  • 修回日期:  2011-07-26
  • 刊出日期:  2012-03-05

GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响

  • 1. 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 南京 210094
  • 通信作者: 富容国, frguo@mail.njust.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60871012)资助的课题.

摘要: 针对GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响问题,应用玻尓兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法计算了GaN光电阴极的电子逸出几率,发现电子逸出几率主要由I势垒决定,II势垒对电子逸出几率的影响有限.利用自行研制的GaN光电阴极激活评估实验系统,测试了透射式GaN光电阴极样品的激活光电流.实验发现,Cs单独激活引起电子逸出几率的显著增加,而Cs单独充分激活后的Cs/O交替激活对电子逸出几率的影响有限.理论计算结果与激活光电流测试结果一致,其原因是Cs单独激活对降低真空能级的贡献远大于Cs/O共同激活.

English Abstract

参考文献 (43)

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