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高Tc超导体的反铁磁理论计算

杜安 魏国柱 聂惠权

高Tc超导体的反铁磁理论计算

杜安, 魏国柱, 聂惠权
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-10-18
  • 刊出日期:  2005-07-03

高Tc超导体的反铁磁理论计算

  • 1. 东北工学院物理系,沈阳110006

摘要: 考虑到高Tc超导材料层状桔构特点,从三维各向异性Hubbard模型出发,在大U时导出了自旋波线性近似下的有效哈密顿量。利用格林函数运动方程技术,计算了系统的子晶格磁化强度、内能、比热、平行磁化率和垂直磁化率等物理量。结果表明,层间和层内反铁磁耦合强度之比δ=J⊥/J对这些物理量有重要影响。在低温T?2J(2+δ)/kB下,确定了特征温度T0=2J(2δ(2+δ))1/2/kB,分别给出了T?T0和T?T0时,这些物理量的渐近表达式。

English Abstract

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