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掺金单晶硅特性的研究

陈敏锐 沈华 刘士毅

掺金单晶硅特性的研究

陈敏锐, 沈华, 刘士毅
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-04-09
  • 刊出日期:  2005-07-03

掺金单晶硅特性的研究

  • 1. 厦门大学物理系,厦门,361005
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 本文研究单晶硅掺金前后的表面光伏和红外吸收谱,证实在相同表面状况下,红外吸收谱的基线与少子扩散长度的对应关系;由半导体统计,推导出简并因子不等于1时扩金硅的统计公式,以及金受主简并因子gAu,a≠1,金施主简并因子gAu,d≠1硅双重能级复合理论公式,由此计算的少子寿命值与测量值之比在1.64—0.745之间。

English Abstract

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