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非序列双电离向饱和区过渡的电子最大关联度

辛国国 赵清 刘杰

非序列双电离向饱和区过渡的电子最大关联度

辛国国, 赵清, 刘杰
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  • 本文采用三维半经典再散射模型系统地研究了 He 原子在 光强从域下到近序列双电离区强场作用下的非序列双电离问题, 统计了各种场强下最终电离的两个电子正负关联的几率之比, 发现发生最大正关联的场强处于向非序列 双电离饱和区过渡的区域, 并在关联纵向动量谱中展示了形成最大关联度的过程. 最后通过轨道"回溯"分析, 进一步研究了其背后的物理机理, 发现在碰撞后其中一个电子再散射和隧穿电子高速弱碰撞分别 是低场强和高场强下负关联比例增加的原因.
    • 基金项目: 科技部创新项目(批准号:2009IM033000)资助的课题.
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    Feuerstein B, Moshammer R, Fischer D, Dorn A, Schröter C D, Deipenwisch J, Crespo Lopez-Urrutia J R, Höhr C, Neumayer P, Ullrich J, Rottke H, Trump C, Wittmann M, Korn G, Sandner W 2001 Phys. Rev. Lett. 87 043003

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    Ye D F, Liu J 2010 Phys. Rev. A 81 043402

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    Haan S L, Smith Z S, Shomsky K N, Plantinga P W, Atallah T L 2010 Phys. Rev. A 81 023409

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-09-11
  • 修回日期:  2011-09-30
  • 刊出日期:  2012-07-05

非序列双电离向饱和区过渡的电子最大关联度

  • 1. 北京理工大学物理学院, 北京 100081;
  • 2. 北京应用物理与计算数学研究所计算物理重点实验室, 北京 100088
    基金项目: 

    科技部创新项目(批准号:2009IM033000)资助的课题.

摘要: 本文采用三维半经典再散射模型系统地研究了 He 原子在 光强从域下到近序列双电离区强场作用下的非序列双电离问题, 统计了各种场强下最终电离的两个电子正负关联的几率之比, 发现发生最大正关联的场强处于向非序列 双电离饱和区过渡的区域, 并在关联纵向动量谱中展示了形成最大关联度的过程. 最后通过轨道"回溯"分析, 进一步研究了其背后的物理机理, 发现在碰撞后其中一个电子再散射和隧穿电子高速弱碰撞分别 是低场强和高场强下负关联比例增加的原因.

English Abstract

参考文献 (22)

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