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包覆燃料颗粒碳化硅层的Raman光谱研究

房超 刘马林

包覆燃料颗粒碳化硅层的Raman光谱研究

房超, 刘马林
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  • 本文研究了球床高温气冷堆燃料元件中包覆颗粒碳化硅层的Raman光谱. 通过分析不同制备条件下的碳化硅层断面的Raman光谱的峰位、半高全宽与强度, 明确了包覆颗粒中碳化硅层的晶相特征、密度变化和剩余应力等物性.通过分析不同密度碳化硅层一级Raman峰的同步、异步二维相关谱, 发现其LO模较TO模对于密度变化的响应更敏感. 这些结论为研究球床高温气冷堆燃料元件包覆颗粒中碳化硅层的结构及其物性有指导意义.
    • 基金项目: 家重大科技专项经费(批准号: ZX06901)和国家自然科学基金(批准号: 11104156)资助的课题.
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    Zhang Z, Yu S 2002 Nucl.Eng. Des. 218 249

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    Liu M, Liu B, Shao Y L, Fang C 2011 At.Energ.Sci. Technol, accepted (in Chinese) [刘马林, 刘兵, 邵友林, 房超 2011 原子能科学技术, 已接受]

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    Feng Z C 2004 SiC Power Materials: Devices and Applications (Berlin: Springer)

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    Nakashima S, Harima H 1997 Phys. Stat. Sol. (a) 162 5

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    Lysenko V, Barbier D, Champagnon B 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2366

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    Hélary D, Bourrat X, Dugne O, Maveyraud G, Pérez M 2004 Proceedings of 2nd International Topical Meeting on HTR Technology

    [14]

    Windl W, Karch K, Pavone P 1994 Phys. Rev. B 49 8764

    [15]

    Yan Y, Huang F M, Zhang S L, Zhu B F, Shang E Y, Fan S S 2011 Chinese Journal of Semiconductors 22 726 (in Chinese) [阎研, 黄福敏, 张树霖, 朱邦芬, 尚尔轶, 范守善 2001 半导体学报 22 726]

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    Noda I, Dowrey A E, Marcott C 1988 Appl. Spectrosc. 42 203

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    Noda I 1989 J. Amer. Chem. Soc. 111 8116

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    Noda I 1990 Appl. Spectrosc. 44 550

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-08-14
  • 修回日期:  2012-05-10
  • 刊出日期:  2012-05-05

包覆燃料颗粒碳化硅层的Raman光谱研究

  • 1. 清华大学核能与新能源技术研究院, 北京 100084
    基金项目: 

    家重大科技专项经费(批准号: ZX06901)和国家自然科学基金(批准号: 11104156)资助的课题.

摘要: 本文研究了球床高温气冷堆燃料元件中包覆颗粒碳化硅层的Raman光谱. 通过分析不同制备条件下的碳化硅层断面的Raman光谱的峰位、半高全宽与强度, 明确了包覆颗粒中碳化硅层的晶相特征、密度变化和剩余应力等物性.通过分析不同密度碳化硅层一级Raman峰的同步、异步二维相关谱, 发现其LO模较TO模对于密度变化的响应更敏感. 这些结论为研究球床高温气冷堆燃料元件包覆颗粒中碳化硅层的结构及其物性有指导意义.

English Abstract

参考文献 (18)

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