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低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究

李晓雷 陆昉 孙恒慧 黄庆红

低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究

李晓雷, 陆昉, 孙恒慧, 黄庆红
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-06-03
  • 刊出日期:  2005-07-03

低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究

  • 1. 复旦大学物理系,上海200433

摘要: 本文对低剂量磷离子注入硅经快速热退火后的缺陷特性进行研究。600℃退火就能基本激活注入离子。800℃以下退火样品中的缺陷主要是离子注入形成的辐射损伤缺陷。800℃以上退火样品中存在位错缺陷。位错的形成与离子注入引进的损伤和淬火过程中的热应力有关。1100℃退火样品中的缺陷浓度迅速增大,热应力在硅内部产生大量的滑移位错。

English Abstract

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