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Pt插层对铁磁/反铁磁界面交换耦合的影响

王一军 刘洋 于广华

Pt插层对铁磁/反铁磁界面交换耦合的影响

王一军, 刘洋, 于广华
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  • 在铁磁层(FM)/反铁磁层(FeMn)耦合体系中插入Pt 插层或对靠近FM/FeMn界面处的FeMn掺杂Pt元素,研究了体系的交换偏置场 Hex及矫顽力Hc随Pt插层深度 dPt与Pt掺杂层厚度tPtFeMn的变化关系. 实验结果表明,引入Pt插层后NiFe/FeMn(dPt)/Pt/FeMn体系的未补偿磁矩(UCS)的数量得到很大的提高,从而对Hex与Hc 起到增强的作用; 同时, 从实验结果可以推测FeMn层内部UCS的分布深度约为1.3 nm. 另外,对靠近FM/FeMn界面处的FeMn掺杂Pt元素,发现掺入Pt元素后体系的Hex 得到有效增强, 这是因为掺入Pt元素后体系UCS的数量也得到很大的提高.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 51071023, 50831002)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-12-13
  • 修回日期:  2012-01-07
  • 刊出日期:  2012-08-20

Pt插层对铁磁/反铁磁界面交换耦合的影响

  • 1. 北京科技大学材料物理与化学系, 北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 51071023, 50831002)资助的课题.

摘要: 在铁磁层(FM)/反铁磁层(FeMn)耦合体系中插入Pt 插层或对靠近FM/FeMn界面处的FeMn掺杂Pt元素,研究了体系的交换偏置场 Hex及矫顽力Hc随Pt插层深度 dPt与Pt掺杂层厚度tPtFeMn的变化关系. 实验结果表明,引入Pt插层后NiFe/FeMn(dPt)/Pt/FeMn体系的未补偿磁矩(UCS)的数量得到很大的提高,从而对Hex与Hc 起到增强的作用; 同时, 从实验结果可以推测FeMn层内部UCS的分布深度约为1.3 nm. 另外,对靠近FM/FeMn界面处的FeMn掺杂Pt元素,发现掺入Pt元素后体系的Hex 得到有效增强, 这是因为掺入Pt元素后体系UCS的数量也得到很大的提高.

English Abstract

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